中频磁控反应溅射制备c轴择优取向AlN薄膜

通过中频磁控反应溅射,在Si(100)衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征.实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜.结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长.在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,(002)摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2(high)声子峰的FWHM为13.8cm-1.     

直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究

本文对直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜的工艺作了具体分析，探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。     

蓝宝石和硅衬底上氮化硅薄膜的制备和性能研究

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯N2气为反应气体,在蓝宝石和硅衬底上制备了氮化硅薄膜.并对Si3N4薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能等进行了研究.实验结果表明,沉积薄膜中Si和N的比接近3∶4,形成了Si3N4化合物,呈非晶态结构.制备的Si3N4薄膜的硬度明显高于蓝宝石衬底的硬度,且与蓝宝石衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.     

可录CD无机存储介质──AgOx的研究

本文研究了AgOx薄膜的光学性能、分解过程和记录特性．研究表明，在氩气分压为0.67Pa和氧气分压为2.0Pa的条件下，反应溅射制备的AgOx薄膜是非晶态的，在400℃热处理时，完全分解为Ag;本文成功地对AgOx薄膜进行了静态写入实验，AgOx有望成为一种新的CD－R存储介质．     

直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响

用直流溅射方法制备氮化锆薄膜,其晶体结构,氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构,随氮气分量由5％至30％增加,玻璃衬底上的氮化锗薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向;然后(200)取向逐渐消失,只有(111)单个优化生长取向;最后,没有衍射峰出现,薄膜趋于无定型结构。     

Si基体上双层Ti—O薄膜的XPS和AES分析研究

采用沉积－离子轰击－沉积工艺制备了双层Ｔｉ－Ｏ薄膜，并利用ＸＰＳ和ＡＥＳ对膜层进行了深度分析。结果发现：在氩离子轰击后的薄膜上再沉积同质薄膜，在膜表层一定厚度内可得到具有化学配比的ＴｉＯ２薄膜；氩离子的轰击使钛太碳氧化物内迁入Ｓｉ基体，而Ｓｉ外迁到膜内，并造成多价形式的Ｔｉ氧化物共存，ＴｉＯ２在这些Ｔｉ氧化物中所占的比例随沉积膜深度呈现先逐渐减少而后又逐渐增大的分布规律；此外，氩离子的轰击使得薄膜     

用反应溅射法制备无衬底的氮化钽薄靶

我们制备无衬底氮化钽薄靶的目的,是为着用核物理背散射实验法研究工业上生产的氮化钽薄膜的钽和氮的组份比,或它们的原子比。 众所周知,阴极溅射就是在真空室中把衬底片置于阳极上,靶材钽片作为阴极。在阳极和阴极间施加直流高压后,阳极和阴极之间便产生辉光放电,使惰性气体氩气电离所产生的正离子去轰击阴极表面,使靶材表面的原子从中逸出而沉积在衬底片表面上。而反应溅射就是在这种阴极溅射的同时,在惰性气体中有意混入一定量的反应性气体来获得反应生成物薄膜。如果使用氮气为反应性气体,那么得到的就是有衬底的氮化钽薄膜。若在衬底片表面上事先喷镀一薄层脱膜剂,如NaCl、CsI、Al、Cu等。把这种反应溅射后生成的氮化钽膜连同衬底片一起放入相应的溶剂或腐蚀剂中。待脱膜剂被溶解或腐蚀后,就得到无衬底的氮化钽薄膜。     

磁控反应溅射氧化镍薄膜电致变色特性的研究

本文介绍了直流磁控反应溅射制备的氧化镍薄膜。研究了所沉积的氧化镍薄膜的电致变色性能、响应速度、开路记忆能力及循环寿命。实验结果表明：氧化镍薄膜初始态透射率和电化学测试方法与条件的选择对其电致变色性能有较大的影响。