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31.
本文介绍的铜制件光亮酸洗钝化工艺,既无有毒的含铬物质,又无氨氧化物污染,制品光亮色泽均匀,抗变色性能优异。通用性好,黄铜、紫铜、磷青铜均适用。  相似文献   
32.
镀锌层上有机物无铬钝化涂层的耐蚀性   总被引:23,自引:9,他引:14  
选择了一种无毒的水溶性丙烯酸树脂(AC)加入至钼酸盐、磷酸盐中(M)得到一种钝化液(ACM),对镀锌层进行钝化处理以代替有毒的铬酸盐钝化。通过盐雾试验、扫描电镜、电化学测试等手段,研究了该纯化膜的耐蚀性及耐蚀机理。结果表明,热浸镀锌层采用该无毒钝化液进行钝化,可以推迟镀锌层出现白锈的时间,其抗蚀性已接近铬酸盐钝化水平;ACM钝化膜耐蚀性的提高是由于钝化膜中的钼酸盐与丙烯酸树脂产生交联作用,抑制钝化膜裂纹的扩展,同时由于膜层中钼酸盐的缓蚀作用,提高了镀锌层的抗蚀性。  相似文献   
33.
陶利 《日用电器》2021,(6):67-70
热水器中的阀体零部件质量对于整机的性能起着重要的作用,阀体属于热水器的关键零部件,需重点防护.本文主要研究铝阀体表面化学无铬钝化成膜工艺,使用不同的试验药剂和试验方法制作样品,在施工工艺和膜层性能方面综合对比,分析各种无铬钝化成膜工艺的特点,为后期生产提供实验依据.  相似文献   
34.
以Q235钢为基体,依次进行电镀Zn-Fe合金、无铬蓝白钝化和封闭.研究了钝化工艺参数和封闭剂对样品耐蚀性的影响,得到较佳的钝化工艺条件为:Na2MoO4·2H2O 45 g/L,丙二酸10 g/L,NiSO4·6H2O 1.2 g/L,植酸10 mL/L,氧化剂1.8 g/L,十二烷基苯磺酸钠2 g/L,pH 1.5,温度15°C,时间10 s.在较优条件下所得钝化膜呈均匀光亮的蓝白色,耐蚀性良好.采用36 g/L苯并三氮唑封闭后,耐蚀性进一步提高.  相似文献   
35.
试验研究了氧化石墨烯在以硅溶胶为主要成分的镀层封闭剂中的性能.认为氧化石墨烯的大比表面积能有效阻碍腐蚀介质对镀层的腐蚀,其表面的羟基也能与纳米二氧化硅胶粒表面的羟基发生缩合反应而形成共价键,提高了氧化石墨烯在封闭剂中的溶解性和稳定性.在烘干固化中,氧化石墨烯与二氧化硅胶粒以及其他成膜物质交联在一起,提高了封闭层的强度和耐蚀性.氧化石墨烯还能与镀层金属形成化学键,有效提高封闭层与镀层之间的结合力,从而提高封闭层的抗划伤能力.在锌及锌镍合金镀件三价铬钝化后采用羟基石墨烯改性封闭剂处理后所得到的封闭层拥有自修复性,其原因在于氧化石墨烯具有与六价铬相似的氧化性,对镀层金属有二次钝化作用,这能够有效克服三价铬钝化膜的技术缺陷,为军工行业淘汰六价铬钝化工艺提供了新的技术方案.  相似文献   
36.
覃孟  潘革生 《电源学报》2021,19(5):158-164
GaN功率开关器件界面态和缓冲层中深能级陷阱会导致高压电流坍塌和动态导通电阻退化。为提升高性能GaN功率开关器件抗高压性能,改善动态导通电阻退化能力,应采用极值性PEALD-AlN钝化技术设计高压状况下GaN功率开关器件,实现单片集成器件的目的,在去氧化层和氮化处理GaN功率开关器件表面后,采用高温LPCVD-SiNx钝化技术,使器件表面形成钝化层,抑制界面态导致的高压电流坍塌。同时,在高性能GaN功率开关器件电极附近注入磷离子,提升导通电阻性能,降低导通电阻退化速度。经过实验分析发现,经过极值性PEALD-AlN钝化后的GaN功率开关器件电流几乎无明显变化,在磷离子注入后,随着触发能量的变化,导通电阻变化较小,最小值达到3.16 Ω/mm,即该方法能有效抗高压动态导通电阻退化。  相似文献   
37.
论述了铜—硒钢铁常温发黑剂在推广中遇到的结合力差、溶液维护困难、产生黄色水锈等问题,研究了对策并提出了改进措施。研制的HD钢铁常温发黑剂和新型防锈钝化水能有效解决上述问题。  相似文献   
38.
钢铁表面的ATMP钝化处理   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用加速腐蚀试验、电化学极化测量以及扫描电镜对氨基三甲撑膦酸(ATMP)在钢铁表面的防护效果进行了研究。测定了ATMP溶液的浓度、温度、pH及处理时间对膜层抗蚀性的影响。通过与多种有机瞵酸进行比较,确认ATMP具有较好的表面防护效果。  相似文献   
39.
<正> 铜及铜合金制品为了取得悦目的外观和达到防腐性能要求,比较理想的传统方法是采用高铬钝化(再进行清漆罩光),使其金属表面生成一层耐蚀很强极薄的保护膜。这种工艺消耗大量的铬酐并需排放大最的含铬污水。不仅成本高,而且环境污染极为严重。含铬污水极易造成水源污染,直接威胁着人们的身体健康。为了保护人民的身体健康,  相似文献   
40.
工业纯Al的缝隙腐蚀再钝化电位   总被引:1,自引:0,他引:1  
梁成浩 《金属学报》1994,30(16):165-168
工业纯Al的缝隙腐蚀再钝化电位ER是缝隙结构的特征值,与缝隙腐蚀下限电位VCREV一致,比孔蚀电位负约100mV,说明缝隙腐蚀更易发生.  相似文献   
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