双晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模…

我们拟采用最基本参数，饱和时间常数，和与此相关的半导体物理机理来分析双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为。全文分上、下二篇分别发表。本文为上篇，文中给出了在基区中正态模和逆向模的涉动电流和存贮电荷以及收集极外延层中的涉动电流和存贮电荷的解析分析；把它们表示成收集极传导电流Ｉｃ和收集极与基极之间电位差ＶＣＢ的函数。为在下篇中提出一个严格的解析模型提供理论基础。     

工业级纳米绒面多晶硅太阳电池的发射极扩散方阻调控其光电转换性能研究

本文制备了工业级纳米绒面多晶硅太阳电池,研究 了发射极扩散方阻对其光电转换 性能的影响。结果表明:提高发射极扩散方阻能够有效地提升电池的开路电压、短路电流, 但填充因子相对降低。通过分析关键光电参数,其原因归结为:提高发射极扩散方阻有利于 降低发射极及其表面载流子复合,但过高的发射极扩散方阻将导致发射极与金属栅线接触不 良。采用优化的发射极扩散方阻,纳米绒面相对于微米绒面多晶硅太阳电池具有改善的光电 转换性能,产线均值光电转换效率达到了19.20%。基于上述研究结果 ,讨论了进一步通过调控发射极扩散方阻来优化纳米绒面多晶硅太阳电池的方法。     

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.     

补偿放大级失真的二极管

图1所示电压放大器的非线性失真比图2所示普通放大器小：二极管D1补偿NPN昌体管的固有失真。共发射极放大器的电压增益取决于晶体管的跨导。双极晶体管的跨导计算公式如下     

基于激光掺杂的SE+PERC单晶硅太阳电池关键工艺的研究

在现阶段主流太阳电池生产设备的水平条件下,研究了激光频率、初始方块电阻和烧结峰值温度对基于激光掺杂的选择性发射极(SE)+PERC单晶硅太阳电池电性能的影响。分别采用奥林巴斯显微镜和Halm电学性能测试仪,分析了不同频率的激光在硅片表面形成的光斑形貌,以及不同实验条件时电池的电性能变化趋势。结果表明,激光频率为220 kHz时有利于在硅片表面形成连续性且不重叠的光斑,形成最佳重掺杂区,从而提升电池转换效率;基于现有的常压扩散设备的掺杂水平,在确保硅片表面方块电阻均匀性的情况下,初始方块电阻选择120Ω/□更有利于提升电池的转换效率;烧结峰值温度为790℃时,更有利于在电池电极位置形成良好的欧姆接触,从而获得最佳的电池转换效率。     

二氧化硅纳米球辅助制备n+发射极 太阳电池性能研究

为了解决旋涂磷源扩散制备发射极片内均匀性差的问题,采用在磷酸溶液中添加二氧化硅纳米球方法,结合旋涂热扩散形成ｎ＋发射极并制作了太阳电池。结果表明:添加纳米球磷扩散后,样品的均匀性从86.0％提升到 96.8％,增加了表面掺杂浓 度和少子寿命,太阳电池的电致发光(EL)测试表明电池的EL图像亮度也更高更均匀,未添加纳米球扩散中心位置的电池效率为14.25％,边缘效率为8.36％,添加纳米球后中心位置效率为17.04％,边缘效率为16.57％,填充因子由48％提升到78％。     

掺砷多晶硅发射极RCA晶体管

研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55—+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.     

用充电式电池供电的直流功率放大——制作篇

一、接8Ω负载的功率放大器在前一篇中所介绍的图11的放大器是针对接8Ω扬声器设计的。为了便于读者阅读在图15中重登一次。需要说明的是图15对图11中T和T漏析间r1 r2的相位补偿电路做了改动,由2.2KΩ＋120PF更改为620Ω＋330PF。另外对图11中的几处错误进行了更正,具体是T和T的发射极电压不是13.34V是r4 r518.34V,功率限幅器T和T基极电路的电阻应为r10 r1122KΩ和510Ω,不是110KΩ和750Ω。     

用测量正偏二次击穿参数的方法来验证大功率器件的可靠性

大功率器件在整机装配、调试及运行过程中常出现一些质量问题，诸如：电性能曲线漂移、线性不好、直流放大倍数不符要求，甚至集电极一发射极烧毁造成开路等。这些缺陷固然与器件质量有极其重要的关系，但如果整机在设计过程中考虑不周、选型不当造成余量小或使用上的失误，也会造成大功率器件的早期失效。为解决这一问题，我们对所使用的功率管进行了二次击穿等一系列试验，已摸索出一些比较简单的提高大功率器件可靠性的老炼、筛选措施。