“追踪与保持”器件可以直接捕获超过10GHz的信号

埃派克森微电子日前发布了四款USB鼠标控制器芯片，采用了其独创的无晶振鼠标控制技术和对管免调技术。     

光柱显示器

一、发光显示器件的概况显示仪表的显示器件近来发展迅速,从单一的指针式指示方式,发展到直观的数字显示,并且在显示仪表等领域中得到普遍应用.但是,因为有很多传感器的输出信号是非线性的,所以对数字显示的仪器仪表提出线性化要求,使电路复杂化,显示精度也受到很大的限制.     

HCMOS器件γ辐射损伤电路分析

本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。     

CCD多路开关组件的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了６０路ＣＣＤ多路开关动态范围≥５０ｄＢ，转移效率≥９９．９９％；非均匀性±５％；最小输入５ｍＶ；最大输入信号２Ｖ；输入积累时间１３４μｓ；串行移出时间２μｓ；输出幅度≥２Ｖ。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。     

鱼雷控制与制导一体化技术综述

本文在阐述捷联式惯导的基本原理以及在鱼雷中应用的必要性的基础上,讨论了鱼雷控制与制导一体化技术及用捷联式惯导的特殊要求和亟待解决的问题。     

阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

高速信号分析系统的接口设计

讨论了一个由PC机和高速信号处理芯片TMS32020构成的主从式系统,设计了一种双端口公共数据存贮器,研究了主从机的接口及公共RAM的管理权分配。文中还介绍了系统的工作原理。     

GaN MESFET的微波性能

用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。