无损吸收网络在开关电源中的应用

分析了几种典型的无损吸收网络原理,给出了设计方法以及无损吸收网络在典型开关变换器中应用的例子。最后提出了在实践中的应注意的问题。     

地面甚低频辐射渗透进电离层的数值模拟分析

利用全波解模型进行数值模拟实验, 研究了具有不同辐射源参数(辐射频率和功率)的地面甚低频(Very Low Frequency, VLF)辐射源在不同地磁场参数(地磁场强度和倾角)和电离层参数(电子密度和碰撞频率)条件下激发的地球-电离层波导和电离层中的电磁场能量空间分布, 并重点研究了电离层D/E区对电磁辐射能量的吸收.模拟结果发现:VLF辐射在波导中衰减只受辐射源频率的影响, 不受辐射功率、地磁场参数和电离层参数变化影响, 波导中的衰减随频率的增大而减小, 而电离层D/E区吸收随频率增大而增大, 两者总衰减量随频率增大而增大.辐射源功率对电离层D/E区的吸收也无影响.地磁强度和地磁倾角越大, 电离层D/E区吸收越小; 电离层碰撞频率和电子密度越大, 电离层中能量衰减越大.     

用渗透压板保存鱼肉

既O--*elf丘O K人(日)已研制出一种“渗透压力脱水板”,它能较容易地去掉鱼和肉的水分。这种板是维持中间具有吸收性能的半透性聚合薄膜。     

四-(4-三甲铵苯基)卟啉测定食品中的痕量铜

以水溶性α.β.γ.δ—四—(4—三甲铵苯基)卟啉[T-(4-TAP)P]作显色剂,测定了食品中的痕量铜。对实验条件及共存离子的干扰进行了探讨。在乙醇介质及强酸条件下测定时,其选择性及灵敏度均有显著提高。摩尔吸收系数为4.5×10~5 1mol~(-1).cm~(-1)最小检验量为:0.14ng/cm~2,回收率为96.2～106%,变异系数为:0.46～3.6%。操作简便,结果满意。     

铁镍合金与碳纳米管复合物的制备及吸波性能

以采用溶胶凝胶结合氢气还原法制备出的铁镍合金纳米颗粒为催化剂,原位裂解苯,成功合成铁镍合金与纳米碳管的复合物。场发射扫描电镜和高分辨透射电镜结果显示复合物为一维纳米管状结构。微波电磁参数测量结果表明:随着试样厚度的增加,匹配频率处的理论反射损耗量呈下降趋势;当厚度为1.5mm时,FeNi22@C复合物的微波吸收效果最好,在频率11.35GHz处反射损耗量为-4.74dB;可以通过改变铁镍合金中各成分的比例、复合物吸收厚度,调整复合物的复数介电常数和复数磁导率,优化复合物的微波吸收性能。     

新型螺旋型内包层双包层光纤吸收效率分析

提出一种新型的内包层横截面边界为螺旋曲线的双包层光纤结构,并给出一种分析双包层光纤吸收效率的新方法:它以射线法为基础,采用概率理论计算出光纤内部传播的光线每次被内包层边界反射后能够被纤芯直接吸收的概率,并以此概率来衡量内包层横截面形状对光纤吸收效率的影响.最后用这种方法对螺旋型双包层光纤进行分析,得出它比一般缺陷型双包层光纤优异的结论.     

新型硅激光器系统的优化设计

通过在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,建立了完整的全硅激光器系统.该系统包括半导体泵浦光源和硅波导放大器.建立的硅激光器增益模型,与已知的实验结果达到了很好的一致,并给出了泵浦光源输出波形和硅激光器的输出波形.该系统可以集成在很小的CMOS器件上,实现光电子器件的集成化,有着广泛的应用前景.     

p型透明导电氧化物CuCrl-xMgxO2的制备及光电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了CuCr1-xMgO2粉末,压制烧结形成了CuCr1-xMgxO2陶瓷样品,研究了Mg2+掺杂量和压制压强对CuCrO2粉末和陶瓷的相组成、显微结构及光电性能的影响.结果表明:随着Mg2+掺杂量从0.01增加到0.07,所制CuCr1-xMgxO2粉末对紫外-可见光的吸收度增加,光学带隙宽度由3.25eV逐渐减小到2.86eV.随着Mg2+掺杂量或压制压强的增加,其相应陶瓷样品的电导率均先增大后减小.当Mg掺杂量x为0.03,压制压强为550 MPa时,制备的CuCr0.97Mg0.03O2陶瓷样品的电导率达到最大值,为19.8S/cm.     

超高斯脉冲反饱和吸收效应响应特性理论模拟

基于非线性传输方程与五能级速率方程的耦合模型分析了超高斯脉冲在反饱和吸收(RSA)作用下的动态响应特性。研究了脉冲时空波形在RSA材料中的演化规律以及脉冲与材料相互作用的动力学过程。讨论了单重态第一激发态寿命对输出脉冲时空波形的影响,并优化了材料参数以避免时空畸变。对新型RSA材料的开发以及在时空波形敏感领域的应用具有指导意义。     

Nd∶GGG晶体缺陷对其抗光损伤影响的研究

文中对Nd∶GGG晶体进行了光谱分析比较、显微观测及抗光损伤实验,讨论了晶体内部存在的色心吸收及弥散状散射对晶体抗光损伤的影响。通过采取新的生长工艺后克服了严重影响晶体抗光损伤的缺陷,得到了无色心吸收,无弥散状散射的Nd∶GGG晶体抗光损伤阈值达到2GW/cm2以上。