基于VXI总线的超宽带线性调频信号源的设计

主要介绍了VXI总线C尺寸超宽带线性调频信号源的设计方法，重点描述了利用现场可编程逻辑器件FPAG和DSP设计VXI总线接口电路，以及数字波形存储直读技术在线性调频信号源中的应用。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法，阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理，并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

编码开关在测试仪表电路中的应用

介绍数字拔码盘开关的种类、特点和基本原理，分别介绍在数字电路以及在模拟电路中的应用。     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

硫化氢吸收液的电化学分解条件研究

理想的脱硫工艺应满足体积小、费用低、净化度高、无二次污染等要求。在碱性溶液吸收微量硫化氢时同步进行电解，可有效减小设备体积，并将硫化氢转变为氢气和硫磺，不产生恶性气味。为此，实验研究了温度、浓度、电流密度、pH值等因素对电解阳极过程的影响，确定了适宜的电解条件，并在该条件下进行了吸收实验。结果表明，在最佳电解条件下，硫化钠溶液能充分吸收天然气中经变压吸附提浓的硫化氢（800 mg/m³），吸收率大于99.9％。     

三相全控桥式整流电路实验装置的研制

介绍了开发三相全控桥式整流电路实验装置的背景;叙述了TC787芯片的内部结构、工作原理、特点及芯片的各个管脚的功能;详细介绍了该实验装置的触发电路的设计思路、设计结果和工作原理;介绍了该实验装置的主电路部分的结构和特点。该实验装置性能可靠,符合本科生实验要求。