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991.
基于整体变分降噪算法下的多频率超声衍射层析成像 总被引:3,自引:0,他引:3
根据傅立叶衍射投影定理,不同频率超声波得到的投影数据的傅立叶变换分布在复平面为不同半径的圆弧,提出了多频率超声衍射层析成像思想,并进行了实验研究,重建的时间比单频率法短约70%.由于多频率投影数据傅立叶变换比单频率法在复平面上分布更加不均匀,故重建的噪声也更大,整体变分法将图像恢复的数学模型转化为带有整体变分正则化项的能量泛函问题,采用变分原理将其中的最小化问题转为偏微分方程的求解.降噪后的多频率超声图像的误差比降噪前的图像小约50%. 相似文献
992.
993.
以统计学析因设计分组,X射线衍射(XRD)仪进行物相分析,研究了激光快速成形工艺参数对生物陶瓷复合涂层物相组成的影响,并优选出适合生物陶瓷物相生成的工艺参数.结果表明,高功率下涂层中非生物陶瓷相CaO和CaTiO3占优势,低功率下生物陶瓷相磷酸三钙(TCP)大量存在,非生物陶瓷相CaO和CaTiO3消失,激光功率对涂层物相的种类和含量均有影响;高扫描速度(1500 mm/min)下涂层物相由TCP,CaO和CaTiO3组成,其中TCP的含量最大,随扫描速度降低.陶瓷相TCP的含量降低,非陶瓷相CaO和CaTiO3含量增加,扫描速度仅影响涂层物相的含量,而对物相的种类无影响.800 W+500 mm/min的工艺参数下制备的涂层中生物活性成分较多,因此比较适合制备生物陶瓷物复合涂层. 相似文献
994.
995.
Nonpolar a-plane [110] GaN has been grown on r-plane [1■02] sapphire by MOCVD, and investigated by high resolution X-ray diffraction and atomic force microscopy. As opposed to the c-direction, this particular orientation is non-polar, and it avoids polarization charge, the associated screening charge and the consequent band bending. Both low-temperature GaN buffer and high-temperature AlN buffer are used for a-plane GaN growth on r-plane sapphire, and the triangular pits and pleat morphology come forth with different buffers, the possible reasons for which are discussed. The triangular and pleat direction are also investigated. A novel modulate buffer is used for a-plane GaN growth on r-plane sapphire, and with this technique, the crystal quality has been greatly improved. 相似文献
996.
A high temperature AlN template was grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition.AFM results showed that the root mean square of the surface roughness was just 0.11 nm.Optical transmission spectrum and high resolution X-ray diffraction(XRD)characterization both proved the high quality of the AlN template.The XRD(002)rocking curve full width at half maximum(FWHM)was about 53.7 arcsec and(102)FWHM was about 625 arcsec.The densities of screw threading dislocations(TDs)and edge TDs wereestimated to be - 6 × 10^6 cm^-2 and - 4.7 ×10^9 cm^-2. AlGaN of Al composition 80.2% was further grown on the AlN template. The RMS of the surface roughness was about 0.51 nm. XRD reciprocal space mapping was carried out to accurately determine the Al composition and relaxation status in the AlGaN epilayer. The XRD (002) rocking curve FWHM of the AIGaN epilayer was about 140 arcsec and (102) FWHM was about 537 arcsec. The density of screw TDs was estimated to be - 4 × 10^7 cm^-2 and that of edge TDs was - 3.3 × 10^9 cm^-2. These values all prove the high quality of the AlN template and AlGaN epilayer. 相似文献
997.
设计了一个红外波段消色差共形光学系统.共形整流罩采用流线型几何外表面,能够有效减少空气阻力,提高导弹飞行性能.但是上述表面破坏了球形整流罩的点对称几何特性,使该系统具有大倾斜、大偏心光学特性,引入依赖于目标视场和瞬时视场的动态像差特性.已报道的文献都是针对单色像差校正问题,而对于大目标视场下单色像差与色差校正难点一直没有相关研究报道.基于实际光线追迹结果、通过衍射元件色散特性和构建适当的光学系统结构,克服了导引头内部有限的空间限制,实现了系统消色差设计.最后设计实例结果表明,系统在整个目标视场范围内均得到较好的成像质量. 相似文献
998.
由1-(5-溴-2-羟基苯基)乙酮和苯甲酰肼通过缩合反应,合成新的芳香酰腙化合物:1-(5-溴-2-羟基苯基)乙酮苯甲酰腙.通过X射线单晶衍射对该化合物进行晶体结构的表征.研究表明,该酰腙为单斜晶系,空间群为P2(1)/n,晶胞学数据a=0.737 61(15)nm,α=90°,b=2.827 0(6)nm,β=116.928(12)°,c=0.860 89(13)nm,γ=90°.V=1.600 5(5)nm3,Z=4,μ=2.570mm-1,Dc=1.383mg/m3,F(000)=672,R1=0.067 6[I2σ(I)],wR2=0.187 7. 相似文献
999.
1000.