星载高速大容量存储器文件化坏块管理设计

为保证星载高速大容量存储器高速稳定的存储速率,需对NAND Flash存储芯片中因单粒子翻转或超过擦除极限而在写入时出现的坏块进行管理。文件化坏块管理采用链表的方式将坏块、分流水级未使用块和分有效载荷数据存储块分别链接成不同的文件,并采用四级流水乒乓缓冲机制快速替换写入失败块。运行于型号任务中的文件化坏块管理,解决了因数据写入出现坏块时的存储速率抖动问题,实现了四倍于单流水级的写入速率对多有效载荷数据分文件进行稳定存储,从而保证了载荷数据的正确性和完整性。     

Oracle坏块的研究分析与处理

Oracle数据库坏块是指在Oracle数据库的数据块内出现内容混乱的现象.坏块的存在,将导致数据库无法正常解析数据块的内容,进而使数据库进程报错乃至挂起,从而导致整个数据库实例出现异常.研究坏块的产生原因和恢复方式,对于数据库的健康运行至关重要.     

NAND flash图像记录系统坏块管理关键技术

提出了NAND flash型高速大容量图像记录系统的高效坏块管理方案。针对坏块表的快速检索和可靠存储问题,提出了基于位索引的坏块信息快速检索结构;为解决坏块快速匹配问题,提出了基于滑动窗口的无效块预匹配机制;对于突发坏块造成写入速度下降问题,提出了滞后回写机制。系统架构全部用硬件方式在FPGA中实现,实验结果表明:检索8个物理块坏块信息仅耗时2个时钟周期;预匹配和正确物理地址生成耗时都为0个时钟周期;突发坏块发生时系统写入速度不受影响,滞后写回在最差情况下耗时也仅22.280 36 ms;系统持续写入速度最大为848.65 MB/s,读取速度为1 265.5 MB/s,擦除速度为9 120.245 MB/s,系统存储容量为160 GB,坏块管理保留容量为8 GB,纠错能力为1 bit/512 B。     

基于NAND FLASH的嵌入式系统启动速度的研究

以K9F1208UOM为例,介绍了NAND FLASH的结构及原理并实现了一套基于ARM9处理器(S3C2410)的嵌入式Linux系统平台;加电后系统启动耗时过长(约为60s),不能满足系统设计要求;通过分析嵌入式系统的结构和启动流程以及对NAND FLASH读写等管脚信号波形的捕捉和测试,发现嵌入式系统启动速度和NAND FLASH容量有着密切的联系;在此基础上进行了相关测试并加以论证,从而定位原因并提出解决方法,实验结果表明系统启动速度提升了约2倍,达到了系统设计要求.     

基于NAND Flash的转译层的设计

基于NAND Flash的嵌入式存储系统以其轻巧便携、读写速度快等特点成为当前嵌入式存储系统的主流配置.但由于固有坏块以及在擦、写过程中随机产生的坏块影响了NAND Flash的实际应用,所设计的NAND Flash的驱动转译层具有坏块管理机制并实现上层文件系统的连续读写功能.     

基于VCS的固存坏块仿真系统设计与应用

NAND Flash固态存储器(固存)广泛应用于航天工程,受限于微电子特性及制造工艺,固存在出厂及使用过程中均会产生坏块,通常由固存控制FPGA(现场可编程门阵列)来管理并标记坏块_]。为保证固存控制FPGA对坏块管理的正确性、健壮性,必须对其进行严格验证。提出了基于VCS的固存坏块仿真验证系统,为固存控制FPGA提供了所需的外围接口,特别是提供了固存坏块反馈机制,令固存坏块产生时机受控;实时向FPGA反馈固存读写过程及产生的坏块信息;将坏块表建立、维护和固存响应过程记录到数据文件;实现了坏块分布的可配置性和仿真系统的闭环性、可记录性。仿真系统可有效发现坏块管理的设计缺陷,进而优化设计,提高航天固存产品可靠性。     

基于FPGA的多通道同步数据采集存储系统

设计一种基于FPGA的多通道同步数据采集存储系统,分为多通道同步数据采集模块和数据存储模块。系统设计采用多通道数据的同步实时采集以及坏块检测技术。多通道同步数据采集模块能够实现同时测量多路相关信号．数据存储模块能够准确无误存储采集数据,便于后续数据分析。经实际运用,系统可满足多通道同步数据采集存储要求,其性能安全可靠。     

基于相变存储器的SD卡系统设计

基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统.本系统由多接口SoC芯片、6.375 Mbits相变存储器芯片以及外围控制电路等构成.系统通过SD/MMC接口与上位机进行数据通信,并使用FAT文件系统进行管理.该SD卡系统容量为256 kb,读取速度为2Mb/s,写入速度为0.5Mb/s.     

NAND Flash的坏块管理设计

主要介绍了基于嵌入式Linux的NAND Flash坏块管理设计和实现方案,详细阐述了坏块映射表的建立、维护及其相关算法,同时分析了此坏块算法在Linux内核及Bootloader中的具体应用。测试结果表明该算法能够处理NANDFlash的相关坏块问题,具有较高的稳定性。     

基于ARM的引导加载技术的研究与实现

为了减小嵌入式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存：NOR Flash and NAND Flash进行了研究。由于NOR Flash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片,仅用NAND Flash芯片引导和启动系统。并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制,采用多级引导方式,实现基于NAND Flash的引导。从而节省NOR Flash芯片,降低了成本。