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11.
关于基片性质对离子镀膜影响的分析 总被引:3,自引:0,他引:3
以常用离子镀膜为基点,从工程结构零件镀膜质量出发,结合实际生产中运用成功的经验,着重分析了基片材质、成型加工、表面预处理、工件结构等方面与镀膜质量的关系,试图为建立基片与镀膜质量体系和生产性指导奠定基础。 相似文献
12.
田树林 《重庆理工大学学报(自然科学版)》2010,(6):52-55
基于基片集成波导具有高通传输特性,而光子带隙结构具有带阻特性,构建了一种新型结构的基片集成波导带通滤波器。为了验证该想法,设计了一个中心频率为5.0 GHz,分数带宽为60%的滤波器。电磁仿真结果表明:该滤波器在频率为3.5~6.5 GHz时具有明显的通带特性,带内最大插入损耗约为0.6 dB。 相似文献
13.
《军民两用技术与产品》2014,(4)
正铂薄膜热敏电阻技术开发单位中国电子科技集团公司第四十九研究所技术简介该铂薄膜热敏电阻器采用物化性能稳定且耐高低温的铂材料作为敏感材料,利用平面薄膜技术在陶瓷基片表面沉积铂薄膜敏感层,并利用等离子刻蚀技术加工形成具有优良性能的铂薄膜热敏电阻。该研究所已完成铂薄膜热敏电阻器设计、生产的国产化,突破了技术及工艺瓶颈,建立了国内唯一的铂薄膜热敏电阻生产线。该产品为《军用技术转民用推广目录(2013年度)》中电子信息领域的重点推荐项目。 相似文献
14.
阴极电弧离子沉积TiN/Ti镀层腐蚀特性 总被引:3,自引:0,他引:3
采用电化学线性极化、交流阻抗谱技术研究了不同基片偏压上阴极电弧沉积TiN/Ti镀层在50×10-6g/gCl-溶液中的腐蚀行为,并对镀层腐蚀的机理进行了探讨。结果表明:基片偏压–400V时,镀层耐蚀性能好;镀层表面的针孔是诱发镀层和基材体系发生点蚀、电偶腐蚀的主要缺陷。 相似文献
15.
基片负偏压增加,使等离子体增强磁控溅射离子镀TiN涂层的相组成朝着富氨相及其含量增加的方向发展,由Ti2N和TiK两相组成的涂层硬度最高,可达Hk2460。切削力测定表明,由Ti2N和TiN两相组成的刀具涂层使切削力略有下降。涂层能明显提高刀具耐用度。 相似文献
16.
研究了2种不同类型的分散剂对水系流延氧化铝基片的影响。研究发现:从浆料的分散性、所流延坯片的质量、烧结后基片的密度及其微观结构的比较,流延氧化铝浆料以聚丙烯酸(PAA)为分散剂明显优于以阿拉伯树胶为分散剂。以阿拉伯树胶为分散剂的浆料分散性较差,流延出的坯片生坯密度较低、坯片的柔软性较差,烧结后相对密度较低,同时,由于分散剂对塑化剂的影响,使得粘结剂PVA在浆料中没有凝胶化,从而在坯片上表面产生C富集层。 相似文献
17.
18.
为实现第五代移动通信技术(5G)毫米波阵列天线的多波束扫描,提出了一种基于基片集成同轴线(Substrate Integrated Coaxial Line, SICL)的宽频带毫米波多波束阵列天线。多波束阵列天线主要包括基于SICL的宽频带毫米波罗特曼透镜和基于SICL馈电的宽频带磁电偶极子天线,罗特曼透镜腔体采用平板波导结构,移相段采用非色散结构SICL,设计了一种平板波导透镜腔体和SICL移相段的宽频带匹配结构实现宽频带罗特曼透镜。采用SICL耦合馈电的宽频带磁电偶极子天线作为多波束阵列的辐射单元,易于直接与基于SICL的罗特曼透镜连接使用,可实现宽频带波束扫描。基于此设计了一种7个波束端口、9个阵列单元的宽频带多波束阵列天线。仿真结果表明,该罗特曼透镜的-10 dB阻抗带宽约为42%(20.5~31.5 GHz),磁电偶极子天线的-10 dB阻抗带宽约为45%(20.5~32.5 GHz),组成的多波束阵列天线在20.5~31.5 GHz(约42%)频带内可实现±30°的波束扫描,天线结构简单紧凑、剖面低、易集成且能实现宽频带波束扫描,适用于5G毫米波通信。 相似文献
19.
提出了一款应用于Ku波段的宽带高增益基片集成腔(Substrate Integrated Cavity,SIC)圆极化阵列天线。通过引入沿SIC口径面对角线放置的一对半月形寄生贴片和SIC底部馈电纵缝,使SIC中的TM_(211)和TM_(121)谐振模式幅值相等、相位相差90°,产生高增益圆极化辐射。同时,双寄生贴片还引入了一种背腔缝隙耦合振子圆极化辐射模式,扩宽了天线高增益圆极化辐射带宽。在此基础上,设计了一款2×2单元顺序旋转馈电的SIC圆极化阵列天线。阵列天线采用双层基片集成波导顺序相移馈电网络进行馈电,进一步增大了天线的圆极化带宽。综合考虑天线的-10 dB反射系数带宽、3 dB轴比带宽和3 dB增益带宽,测试结果表明,圆极化阵列天线的有效带宽为10.74-13.30 GHz(21.3%),在通带范围内最大增益为14.50 dBi。 相似文献
20.