OLED柔性电视浅析

本文简述了OLED显示的基本原理与优点,并重点介绍了OLED柔性显示的性能、结构特点。最后介绍了OLED柔性显示的研究发展进程、现状及未来趋势。     

美军研制新型智能军用传感器

据报道,美国北卡罗莱纳州立大学最近宣布,其最新的研究进展为多功能自旋电子智能传感器在军事上的应用和下一代自旋电子器件的使用铺平了道路。二氧化钒(VO2)可以将更智能的传感器集成到硅芯片上,并可利用激光来使该材料具备磁性。目前VO2被用于制造红外线传感器。通过将VO2作为单晶集成到硅基片上,研究人员有可能制造红外线智能传感器,其中传感器和计算功能被嵌在一个芯片上。据称,这使得传感器更快、更节     

TEM原位光电双功能样品杆改造及电源系统优化设计

为了研制用于透射电子显微镜(TEM)的光学和电学双功能原位测试样品杆,在理解国外进口电学原位样品杆电路和电极结构的基础上,引入微型LED芯片作为发光源对其进行光电双功能升级改造,并通过优化光电双功能基片供电电源系统以保障TEM清晰成像。测试结果表明,利用自制的基片供电电源,改造后的电学测试样品杆能同时测试样品的光学和电学特性,且透射电子显微镜成像清晰稳定。     

基片温度对TiO2薄膜表面形貌和性能的影响

利用射频磁控溅射设备在玻璃基片上制备TiO2薄膜,采用AFM、UV-Vis分光光度、接触角测定仪等测试手段,研究基片温度对薄膜表面形貌、粗糙度和表面性能的影响.结果表明,随着基片温度增加,薄膜表面粗糙度增大,薄膜中颗粒由无定形态逐渐向定向排列的晶态转变,而薄膜结构、表面形貌和粗糙度的变化明显影响薄膜表面性能.最后,探讨了薄膜的生长机理.     

基于菱形SIW的小型化双频可控带通滤波器

提出了一种四分之一模菱形基片集成波导谐振腔,设计并制作了一款小型化的双频带通滤波器.引入了T型槽线结构,实现了滤波器双通带中心频率的调节.利用间隙耦合、高低阶模式耦合和源负载耦合,在带外产生了7个传输零点,提高了滤波器的频率选择特性.滤波器双通带中心频率分别为4.4和7.7 GHz,3 dB带宽分别为517和405 M...     

In:Fe:LiNbO_3晶体波导基片光折变性能的研究

采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体。测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3484cm-1位移到3507cm-1。首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度。研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3。采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理。讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理。     

In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变性能的研究

采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体.测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3 484 cm-1位移到3 507 cm-1.首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度.研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3＞1%In∶Fe∶LiNbO3＞2%In∶Fe∶LiNbO3＞3%In∶Fe∶LiNbO3.采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理.讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理.     

在玻璃基片上形成金纳米孔隙可防光散射

日本京都工艺纤维大学的传统未来研究所的科研人员,新近研究成功利用激光照射在玻璃基片上形成由纳米金颗粒构成的纳米孔隙,可有效地防止光散射。用可视光激光器能够在玻璃基片上形成直径〈100nm孔隙,如果金纳米微粒致密地分布在基片上并形成纳米孔隙,就有可能加工成防止玻璃片上的光散射以及其他效果。他们在实验时在玻璃基片上涂覆以粒径20nm的纳米金后再涂上一层20nm厚的高分子涂膜,     

硬盘铝基片擦洗机的PLC控制

文章介绍了为１３片硬盘铝基片擦洗机设计的气动系统和电气控制系统,硬盘铝基片擦洗机的自动循环用ＯＭＲＯＮ２００Ｈ型ＰＬＣ控制。整机调试表明气、电一体化控制非常成功     

数字光盘玻璃基片的三步抛光技术

为得到超光滑的数字光盘母盘玻璃基片表面,研究玻璃基片的亚纳米级抛光技术。分别采用2 m、0.3 m超细氧化铈抛光液以及纳米氧化硅抛光液进行三步化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP),抛光后最终表面粗糙度Ra达到0.44 nm,为目前报道的数字光盘母盘玻璃基片抛光的最低值。原子力显微镜分析表明,抛光后的表面超光滑且无微观缺陷。通过对玻璃基片CMP中机械作用及化学作用进行分析,对抛光机理进行了探讨。