TriQuint发布多种高性能SAW滤波器

表面波SAW(Surface Acoustic Wave)是在压电基片材料表面产生并传播的弹性波,其振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少.SAW滤波器的作用在于抑制电子设备高次谐波、发射漏泄信号、镜像信息、以及各类寄生杂波干扰等.     

双层基片集成波导双通带滤波器设计

根据频率变换法的双通带滤波器综合理论,采用矩形基片集成波导谐振腔作为基本谐振单元,通过谐振器之间直接耦合设计了一种双层结构的双通带基片集成波导滤波器,利用Ansoft HFSS建立滤波器模型并进行全波仿真。仿真结果表明,两个通带内回波损耗均大于20 dB,插入损耗小于0.5 dB,通带之间的阻带衰减特性良好,同时其尺寸压缩了约50%,较好地实现了滤波器的小型化,满足了工程需要的技术指标。     

基于SICL的宽频带毫米波多波束阵列天线设计

为实现第五代移动通信技术(5G)毫米波阵列天线的多波束扫描,提出了一种基于基片集成同轴线(Substrate Integrated Coaxial Line, SICL)的宽频带毫米波多波束阵列天线。多波束阵列天线主要包括基于SICL的宽频带毫米波罗特曼透镜和基于SICL馈电的宽频带磁电偶极子天线,罗特曼透镜腔体采用平板波导结构,移相段采用非色散结构SICL,设计了一种平板波导透镜腔体和SICL移相段的宽频带匹配结构实现宽频带罗特曼透镜。采用SICL耦合馈电的宽频带磁电偶极子天线作为多波束阵列的辐射单元,易于直接与基于SICL的罗特曼透镜连接使用,可实现宽频带波束扫描。基于此设计了一种7个波束端口、9个阵列单元的宽频带多波束阵列天线。仿真结果表明,该罗特曼透镜的-10 dB阻抗带宽约为42%(20.5～31.5 GHz),磁电偶极子天线的-10 dB阻抗带宽约为45%(20.5～32.5 GHz),组成的多波束阵列天线在20.5～31.5 GHz(约42%)频带内可实现±30°的波束扫描,天线结构简单紧凑、剖面低、易集成且能实现宽频带波束扫描,适用于5G毫米波通信。     

三旋LiNbO3基片温度特性试验

介绍了一种三旋转切割ＬｉＮｂＯ３基片，以及针对这种基片而作的温度特性试验情况。     

Ka波段LTCC基片集成圆腔滤波器设计

将低温共烧陶瓷(LTCC)技术与基片集成波导圆腔(SICC)技术相结合,设计了一个Ka波段的四阶带通滤波器。该滤波器在28.25~30.25 GHz的通带内,插入损耗小于1.3 dB,回波损耗大于31 dB,LTCC多层基板布线的特性使得SICC谐振腔滤波器从二维平面走向三维立体,在保持滤波器高性能的同时大大缩小了尺寸,并且谐振模TM_(010)模的选用以及共面波导探针形式的输入输出,进一步减小了滤波器的体积,最终尺寸仅为3.5 mm×3.5mm×1.152 mm,与传统同类型的平面滤波器相比较,所占基板面积减小了50%以上。     

介质基片缝隙阵列天线设计

本文应用介质基片波导技术(SIW)实现了介质基片波导驻波缝隙阵的设计、多层微波电路的设计,带状线串馈功分器的设计以及带状线转同轴的设计.完成了实物的加工调试,测试结果与理论设计相符,验证了理论设计的正确性.     

基片集成波导缝隙式滤波器的设计与实现

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9dB,且具有良好的选择性。与传统的基片集成波导谐振腔式滤波器相比,这种滤波器可以提供更宽的阻带且便于后期调试。     

半模基片集成波导(HMSIW)三分贝功率分配器

基片集成波导(SIW)具有损耗低、性能好、易于集成等优点,作为一种新型的导波技术已经被广泛地用于微波与毫米波电路.但是对于微波低频段,基片集成波导器件的尺寸偏大.最近,一种新的导波结构--半模基片集成波导(HMSIW)被提出.与基片集成波导相比,半模基片集成波导保留了基片集成波导的优点,同时在尺寸上缩小近一半,损耗也更低.本文提出了两种结合半模基片集成波导与基片集成波导技术的三分贝功率分配器,仿真结果与实验结果一致.     

基于新型互补开环谐振器的基片集成波导滤波器

设计了一种新型的互补开环谐振器(Complementary split ring resonators,CSRR),研究了新型CSRR应用在基片集成波导(Substrate integrated waveguide,SIW)时的频率响应。采用该结构设计并制作了两个SIW滤波器,其中心频率分别为5 GHz和6 GHz,带宽分别为800 MHz和2 GHz,设计和实测结果较为吻合。     

玻璃基板用电子浆料

钠钙视窗玻璃电气性能与氧化铝陶瓷相当 ,成本低 ,是厚膜基片廉价材料。用 Ru2 Pb2 O6 和 Ru2 Bi2 O7作导电相 ,硼硅酸铅系添加碳酸钠作玻璃料配制的钌系电阻浆料 ,与钠钙玻璃有较好的匹配性。烧成条件 6 0 0℃ ,45 min,峰值温度保温 9min。方阻为 2 0 Ω～ 1MΩ,稳定性良好 ,阻值变化 ΔRS/ RS<1%。