旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作

基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中,从而能制作出更加小型化的微波隔离器,有效减小器件体积,符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。     

V500型CO＿2激光机及其Al＿2O＿3电子陶瓷基板加工技术

主要介绍了V500型CO2激光机的结构、原理以及加工电子陶瓷基片的相关技术,利用激光加工α-96%Al2O3陶瓷基板,是满足厚膜混合集成电路等产品生产和科研需要的主要方法之一。     

美国研究出兼具超高透明度和光雾度的新型纳米纸

美国研究人员开发出一种用于下一代太阳能电池的革命性材料一～由木材纤维制成、透明度达96％的新型纸张。这种纸价格低廉,并且比在太阳能电池中使用的塑料基片更环保。最重要的是,其克服了光透明性和大部分材料所欠缺的光雾度的难题。     

单晶SiC基片的铜基研磨盘加工特性研究!

采用铜基螺旋槽研磨盘对6H-SiC单晶基片的Si面和C面进行了单面研磨加工,研究研磨压力、研磨盘转速和金刚石磨粒尺寸对SiC基片材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明,单晶SiC的C面和Si面具有明显的差异性,C面更易加工,其材料去除率比Si面大。研磨压力是影响材料去除率和表面粗糙度的主要原因,研磨压力越大,材料去除率越高,但同时表面粗糙度变大,较大的研磨压力会导致划痕的产生。在达到最佳表面粗糙度时,C面加工所需的转速比Si面大。磨粒团聚会严重影响加工表面质量,采用粒度尺寸3 μm的金刚石磨料比采用粒度尺寸1 μm的金刚石效果好,经粒度尺寸3 μm的金刚石磨料研磨加工5 min后,Si面从原始粗糙度R_a 130 nm下降到R_a 5.20 nm,C面下降到R_a 5.49 nm,表面质量较好。      

基于SIW的宽频带喇叭天线设计

设计了一款具有宽频带高前后比的基片集成波导H面喇叭天线。该天线通过在基片集成波导喇叭的口径前端加载半圆形介质基片和半圆形金属片结构,实现了天线阻抗带宽的展宽及天线前后比的提高,此时天线整体尺寸为16λ×32λ mm。仿真结果表明,天线S11＜-10 dB的频率范围为228～282 GHz,相对带宽达到21%;在23～26 GHz的频率范围内,天线前后比始终大于13 dB,天线最大增益能够达到122 dB,且在较宽频率范围内天线增益保持稳定。相较于其他基片集成波导喇叭天线,该天线结构更加简单,具有更好的带宽、增益及前后比。     

基片集成波导缝隙式滤波器的设计与实现

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9dB,且具有良好的选择性。与传统的基片集成波导谐振腔式滤波器相比,这种滤波器可以提供更宽的阻带且便于后期调试。     

厚膜混合集成电路的制造技术与应用

本简要介绍厚膜混合集成电路的制造过程，由于它的制造特点使其性能稳定可靠，应用领域广泛。其制造工艺适于大批量自动化生产，具有工艺简单、投资省、见效快等优点。     

基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响

在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明，对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言，基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。     

氧化铝陶瓷基片水基凝胶法低成本制备技术

研究成功了氧化铝陶瓷基片的水基凝胶法工业化生产技术，其使用权价值经评估为１７２７．６９万元，以该技术为基础，组建成了淄博航电子陶瓷有限责任公司，注册资金４３５０万元，现已正式投入生产。３年内将达到年产２０万平方米陶瓷基片的生产能力。获得我国１９９９年度科技型中小企业创新基金第三批支持项目１００万元无偿资助，列为即将启动的５０项“８６３”计划重大产业化项目之一。