高热导A1N—新型陶瓷基片及封装材料

A1N陶瓷具有高的热导率和与Si相接近的热膨胀系数以及电绝缘特性，是一种应用前景极好的基片材料。本文介绍了A1N陶瓷的基本特征、用于陶瓷基片和封装材料的工艺难点及A1N陶瓷的应用现状和前景。     

室温下确定混合焦平面阵列铟柱触点对接效率的方法

本文提出一种确定混合焦平面阵列(FPA)红外光敏基片和硅读出基片间铟柱对接效率的简易电学方法,在这种情况下,红外光敏基片由16×16碲镉汞(MCT)光伏阵列组成,而读出基片是一个16×16硅电荷耦合器件(CCD)多路传输器(MUX)。不过,这种方法使人们能在室温下确定对接效率。而混合FPA不需要在杜瓦瓶中进行真空密封,并且要77K温度下试验,以确定这种效率。此方法在象元到象元基础上实质是验证一下MCT光伏二极管和CCDMUX中相应的扩散输入端之间电的接触性。室温下用示波器对整个阵列的读出进行简单的实验,从探测器开始,直到CCDMUX都测试,以准确确定在铟柱对接之后有多少MCT光伏二极管有效地连接到与其相对应的CCDMUX象元上。     

AlN基片氧化及金属化

研究了 Al N陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响。在 80 0℃、 10 0 0℃、 12 0 0℃和 140 0℃下对 Al N基片进行了高温处理 ,并用 XRD和 SEM分析了氧化结果。从 12 0 0℃开始 ,基片表面有较明显的氧化 ,140 0℃时 ,基片内部氧化明显。在氧化后的 Al N基片上金属化布线 ,发现表面轻微氧化的 Al N基片和金属化强度有一些提高 ,但氧化过度 ,反而会使金属化结合强度大幅度下降。     

基片集成波导式高温压力传感器的制备与测试北大核心

提出了一种新的无线无源高温压力传感器结构,该传感器的结构主要由含有内置空腔的基片集成圆波导（SICW）谐振器和集成于波导上金属面的缝隙天线两部分组成。共面波导天线（CPW）发出的频率电磁信号通过缝隙天线耦合到传感器内部,并经由缝隙天线反馈到共面波导天线。当外部压力作用于传感器的空腔上表面时,传感器的有效介电常数发生变化,从而导致传感器的谐振频率发生变化。传感器的试样通过高温共烧陶瓷（HTCC）微组装工艺与丝网印刷技术相结合进行制备。实验过程中,共面波导天线与网络分析仪进行连接,通过网络分析仪对天线的S11参数进行测试,进而可以从频率曲线中对传感器的谐振频率进行提取。通过对制备的传感器进行不同温度下的压力测试,发现提出的压力传感器在800℃高温下仍然可以正常工作,在800℃时传感器的测试灵敏度为0.124 5 MHz/kPa。     

膜厚可控SiO2光子晶体的制备与研究

在相同SiO2悬浮液浓度下,采用改进的双基片垂直沉积法成功制备了不同膜厚的SiO2光子晶体薄膜。研究发现,通过调节两基片间夹层厚度可以很好地控制样品薄膜厚度,不同厚度SiO2光子晶体的表面形貌也有一定的变化。     

针对玻璃基片石英试杆影响的磁光薄膜磁性参数的估算方法

对于直接重写磁光记录薄膜的磁性测量,实际测得的磁滞回线是磁光薄膜与玻璃基片和石英试杆共同作用的结果,不能由此图直接确定基本的磁性参数。根据磁光薄膜的曲线和玻璃基片与石英试杆的曲线之间的特点,提出一种简单有效的方法快速直接确定基本的磁性参数。     

钨钛合金/氧化铝基复相陶瓷/NaA分子筛复合电路基片的制备

为了弥补传统陶瓷电路基片在使用过程中的不足,研究通过在陶瓷表面涂覆钨钛合金及分子筛晶体,采用冷等静压成型、气氛保护无压烧结及旋涂-水热合成等技术制备了钨钛合金/氧化铝基复相陶瓷/NaA分子筛复合电路基片。利用SEM观察其显微组织形貌,EDS分析其元素组成,XRD分析其相结构。采用维氏硬度计等设备对陶瓷的相对密度、抗弯强度、硬度及断裂韧性进行测试,并利用水滴试验测试分子筛薄膜的亲水性。结果表明:钨钛合金层中W和Ti具有熔渗扩散现象,且W颗粒在熔渗反应过程中剩余,说明反应远未达到热力学平衡,这是由于W-Ti粉末与陶瓷生坯直接接触所致。氧化锆的掺入对氧化铝复相陶瓷基片具有强韧化作用。试样的相对密度、抗弯强度、硬度和断裂韧性最大均值分别为98.8%、455 MPa、17.7 GPa和5.8 MPa·m~(1/2)。旋涂-水热合成的NaA分子筛薄膜具有良好的连续性和亲水性,亲水角为8.5°,具有一定的防雾抗尘能力。     

基于波导馈电的基片集成波导缝隙线阵天线

设计了一款Ku波段低损耗、低旁瓣的基片集成波导缝隙线阵天线,天线的馈电结构由波导到基片集成波导转换器组成,线阵是由基片集成波导上表面所开的8个纵向缝隙组成。软件仿真计算表明：天线工作频率范围为12.14~12.84 GHz（阻抗带宽5.6%,输入输出散射参数S11<-10 dB）;在整个工作带宽内,天线增益均大于14.5 dB,旁瓣电平低于26 dB,与预期的Taylor分布（最低旁瓣电平SLL=30 dB）比较相符。