PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

CSTN-LCD用铬版清洗效果的改善

利用铬版清洗机对CSTN-LCD用铬版进行清洗处理,分析了清洗过程中出现的铬层脱落现象,铬层脱落与轴向喷射压力和水平切力密切相关,通过调整转速和喷射压力探索了安全使用条件:在转速不超过1000r/min,喷射压力低于0.5×105Pa的情况下使用铬版清洗机进行清洗是相对安全的。同时采用预清洗处理的方法满足清洁要求,使换线时间由平均3h缩短到平均1h以内,年产能提高270000片。     

关于建立城市智能交通实验研究中心的设想

基于联系国内外智能交通系统研究的具体实际，提出了建立城市智能交通实验研究中心的设想，并结合一个集成了视频和线圈信息采集方式的实验研究中心简单设计方案，对其所具有的基本功能作了初步研究和探讨。该系统兼具促进交流和有关培训等社会职能，可以作为国家智能交通事业发展过程中一种特殊的示范工程。     

一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

水平井钻探中的小层对比

该针对水平井在施工钻探过程中轨迹控制难度大的情况，运用标志层对比、电性组合特征对比和岩性、电性组合关系对比等方法，结合实例进行水平井钻探中的小层对比，准确预测目的层深度，确保实钻井身轨迹准确钻达目的层并在目的层内穿行，来最大限度地获取油层段长，进行油层追踪，满足提高采收率的勘探开发需求。     

合理选择射孔层段和增产技术提高Khuff气藏中的天然气采收率

沙特阿拉伯-美国石油公司(APAMCO)已着手一项酸化压裂计划，该计划用于处理沙特阿拉伯东部加瓦尔气田内的Khuff碳酸盐岩气藏。Khuff气藏产层系二叠系碳酸盐岩，平均埋深约11，500英尺。该气藏的两个主要生产层段为KhuffB和KhuffC，经测试均为高品质的富凝析气层。Khuff气藏的储层主要由白云岩层和石灰岩层组成，夹页岩和硬石膏薄层，该薄层构成非渗透性的和可能裂缝性的阻挡层。储层厚度延伸达数百英尺，其品质和生产潜力具多变性。精心设计完井技术和选择增产措施对于获得有效裂缝控制范围和提高天然气采收率而言，是重要的。本文重点选择射孔层段和增产技术，目的是开发和提高Khuff碳酸盐岩气藏的产能。     

欧洲静止卫星导航重叠服务系统（EGNOS）

近年来，随着对全球导航卫星系统(GNSS)定位精度与可靠性要求的不断提高，具有广域差分定位性能的星基增强系统迅速发展。美国的广域增强系统(WAAS)和欧洲静止卫星导航重叠服务系统(EGNOS)是两个最具代表性的系统，其中以多国合作研究，民间管理为特色的EGNOS尤为世人所瞩目。本文就EGNOS的体系结构，基本原理，关键信号处理技术与计划进展状况作了详细阐述。     

微波集成电路（MIC）中Au／NiCr／Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究

Au/NiCr／Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向，SEM观察薄膜断面形貌，AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关，随着沉积温度100℃→250℃的改变，薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。     

高抗挤厚壁套管的性能及应用效果评价

中原油田套管损坏的主要原因是现有套管强度不够,无法抵抗盐膏层段的巨大外挤力。开发了TP130TT型高抗挤厚壁套管,其强度能很好地抵抗盐膏层巨大外挤力。实验室试验表明,各项性能指标达到了设计要求,现场使用取得了很好的效果,解决了中原油田盐膏层段套管强度不足的难题。