全文获取类型
收费全文 | 9650篇 |
免费 | 428篇 |
国内免费 | 983篇 |
专业分类
电工技术 | 274篇 |
综合类 | 730篇 |
化学工业 | 768篇 |
金属工艺 | 250篇 |
机械仪表 | 222篇 |
建筑科学 | 1130篇 |
矿业工程 | 223篇 |
能源动力 | 96篇 |
轻工业 | 1871篇 |
水利工程 | 207篇 |
石油天然气 | 1214篇 |
武器工业 | 23篇 |
无线电 | 2300篇 |
一般工业技术 | 859篇 |
冶金工业 | 421篇 |
原子能技术 | 70篇 |
自动化技术 | 403篇 |
出版年
2024年 | 66篇 |
2023年 | 233篇 |
2022年 | 263篇 |
2021年 | 264篇 |
2020年 | 227篇 |
2019年 | 282篇 |
2018年 | 170篇 |
2017年 | 186篇 |
2016年 | 251篇 |
2015年 | 307篇 |
2014年 | 712篇 |
2013年 | 476篇 |
2012年 | 537篇 |
2011年 | 664篇 |
2010年 | 529篇 |
2009年 | 570篇 |
2008年 | 596篇 |
2007年 | 641篇 |
2006年 | 358篇 |
2005年 | 390篇 |
2004年 | 367篇 |
2003年 | 311篇 |
2002年 | 318篇 |
2001年 | 267篇 |
2000年 | 256篇 |
1999年 | 212篇 |
1998年 | 204篇 |
1997年 | 164篇 |
1996年 | 190篇 |
1995年 | 185篇 |
1994年 | 159篇 |
1993年 | 126篇 |
1992年 | 128篇 |
1991年 | 180篇 |
1990年 | 99篇 |
1989年 | 87篇 |
1988年 | 21篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 11篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 6篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 10篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
61.
利用变温和变磁场霍尔测试对在空气室温环境长期存放的碲镉汞液相处延晶膜作了定期的检测,结果表明,晶膜的电学性质随时间有明显的改变,本文采用非均匀晶膜的层状模型对晶膜的不稳定性作了详细的分析。 相似文献
62.
63.
64.
本文采用计算机模拟,以年产2万t离子膜烧碱为例,通过对烧碱蒸发双效顺流工艺的计算,利用最优化方法,得出了生蒸汽量与加热面积的最佳配比;通过计算考察了生蒸汽、加热面积、传热系数和真空度等对生产的影响情况。 相似文献
65.
66.
67.
68.
形成SOI结构的ELO技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm. 相似文献
69.
70.
评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的MBE技术,给出了材料性能和器件研制结果,从微结构设计出发,研究了平面掺杂GaAs/Al(Ga)As超晶格结构二维电子气有关性质,实验研究取得了重要的进展。 相似文献