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本文讨论了决定恢复阶段的有关影响因素,电流消失后的早期,金属蒸气和残余电荷减弱了击穿强度,金属液滴仅仅起着次要作用。烧熔的触头表面外部的液态凸出部分的延长将是触头表面存在大电场强度的一种原理,有关击穿过程的认识,特别是有关延时击穿的效应的认识必须提高。 相似文献
993.
本文研究了在大电流(40-60kA.RMS)和高的瞬态恢复电压陡度(5和10kV/μs)条件下的具有双极纵磁场触头的真空灭弧室的弧柱电流。通过改变触头的分离时刻,相应地改变燃弧时间和触头间距,与模拟值相比较,测量出的弧柱电流和电荷的明显减少以及燃弧时间的缩短是由于电离作用较低引起的,弧后电流与du/dt的关系可以用次级发射的影响来解释。 相似文献
994.
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996.
在CS Europe 201 1德国法兰克福会议上,TriQuint的企业高级技术总监Otto Berger与RFMD基础设施产品组副总裁Jeffrey shealy就化合物GaN与GaAs半导体技术在无线领域的应用前景发表了讲话。Berger首先发布了一系列令人瞠目结舌的数据:2013年智能手机将占据手 相似文献
997.
本文为智能交通系统中的路面车辆监测[1]设计了一套软件方案。该软件能够对摄像头或者是从磁盘读入的交通视频进行实时地监控和处理。通过对路面的车辆的跟踪、车辆行驶状况如方向、轨迹的分析,实现对交通违规行为如逆向、违章停车等现象的警示以及违章车辆信息的记录;通过对交通流量的统计,实现对道路拥堵情况的分析和显示,辅助完成车辆的疏导和分流。在实验中,本文提出的软件方案能够实时、准确地完成所设计的交通监控功能的测试。 相似文献
998.
999.