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991.
形成硅化物的技术有多种:蒸发,溅射和化学气相沉积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验,得出了CMOS自对准硅化钛的工艺条件。 相似文献
992.
在捷联惯导技术应用到石油采掘与矿井勘探领域的背景下,探讨如何使用低精度的惯性传感器获得精确的初始姿态信息。本文借鉴陀螺寻北仪的两位置寻北方案,研究了基于寻北技术的初始对准方法,利用该方法可滤除惯性传感器的常值漂移。仿真表明在使用低精度的惯性传感器条件下,利用该方法能获得较高精度的初始姿态信息。 相似文献
993.
994.
过渡金属作用下的金刚石石墨化机理研究* 总被引:3,自引:1,他引:2
从电子和原子角度解释了过渡金属对金刚石石墨化催化作用的机理,即过渡金属具有空d轨道,并且在某一面上与金刚石(111)面原子符合对准原则。为了验证此结论,基于第一性原理建立铬、铁、钴、钛、铂、铝、铜原子与金刚石原子的作用模型,进行仿真计算,得到不同过渡金属对金刚石石墨化的影响规律。仿真结果表明:Cr、Fe、Co、Ti、Pt作用下的金刚石结构出现不同程度的石墨化现象,而Al、Cu作用下的金刚石无石墨化现象。不同金属作用下金刚石原子结构的平面度由小到大依次为铁、铬、钴、钛、铂、铝、铜;碳原子间方差由小到大依次为铁、铬、钴、铂、钛、铝、铜;系统能量变化由大到小的顺序依次为铁、铬、钴、铂、钛。通过比较,铁、铬、钴原子对金刚石石墨化具有明显的催化作用,铂、钛原子有一定的催化作用,而铝、铜原子则无催化作用。当金属具有空d轨道且与金刚石在一定面上符合对准原则,未配对电子越多,金属对金刚石石墨化的催化作用越强;反之,当金属价电子层无d轨道或d轨道电子是充满状态时,金属对金刚石石墨化无催化作用。该研究为利用金刚石石墨化机理刃磨金刚石刀具提供了理论基础。 相似文献
995.
996.
探索了新型难熔栅 W/WN工艺制备技术 ,通过 SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/Ga As特性作了分析。结果表明 ,溅射气压和 N分压对 W,WN薄膜特性有着显著影响 ,通过工艺条件的优化 ,制备的 W/WN膜厚为 36 0 nm,方块分压为 0 .5 1Ω。利用Si O2 作为退火包封层 ,780℃ 10 s快速退火后 ,W/WN能够保持好的稳定性 ,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的 Ga As MESF ET。 相似文献
997.
讨论了对发射电子束具有聚焦作用的场发射阵列 ,并制作了样管。为了抑制发射电子束的发散 ,采用电子束聚焦的方法。文中给出了三种结构的聚焦方案 ,开发的透明电阻层Ni SiO2 保证了聚焦孔的刻蚀精度 相似文献
998.
探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术,通过SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/GaAs特性作了分析。结果表明,溅射气压和N分压对W,WN薄膜特性有着显著影响,通过工艺条件的优化,制备的W/WN膜厚为360nm,方块分压为0.51Ω。利用SiO2作为退火包封层,780℃ 10s快速退火后,W/WN能够保持好的稳定性,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的GaAs MESFET。 相似文献
999.
补偿对准测量方法 (CALM )是视觉测量水平向、垂直向、旋转偏差及倍率误差等步进机对准可校正因素的一种新技术。CALM技术是根据已曝光在抗蚀剂中的线条间隙图形在显影之前 ,通过准确偏移光栅 1/2间距再次曝光 ,然后完全除去已曝光部分的原理建立的。采用这一原理已制作了直观显示可校正因素的试验片。CALM读数与盒中盒 (BB)测量比较的测算 3σ值精度为 0 0 3 μm。CALM读数与BB测量之间的线性度保持在± 0 13 μm误对准范围。采用此技术允许更频繁地进行基线校正。 相似文献
1000.
为避免光功率过度损失,保证光纤信号的准确对接,研究基于光功率探测的光纤熔接机光纤对准控制技术。根据光功率探测原则调整光纤结构连接形式,联合本征因素、非本征因素的数值计算结果,实现基于光功率探测的光纤熔接损耗量统计。建立纤芯边缘追踪表达式,通过求解光纤拟合度指标数值,确定几何对准系数的取值范围,实现对光纤熔接机光纤的对准与控制处理。实验结果表明,基于光功率探测的控制方法可以将光纤信号对接角度偏差控制在15°之内,能够有效解决因信号对接准确度过低而造成的光功率过度损失问题。 相似文献