二极管泵浦的高光束质量被动Q开关激光技术研究

研究了二极管端面泵浦及Cr4 ：YAG晶体作为被动Q开关对激光模式的影响，讨论了在一定条件下，二极管端面泵浦的被动Q开关激光器产生单纵模激光振荡的原因、机理和条件。在实验中，获得了单脉冲能量30μJ，脉宽6ns，重复频率2000Hz的单纵模激光输出。     

用于MAN／LAN光通信的可热插拔LD

随着Internet技术的不断发展,通信系统的容量也正在日益增长, DSL、FTTH等宽带访问技术的普及,使大容量城域网(MAN)、局域网(LAN)市场得到了迅猛的发展。在MAN、LAN领域中的光通信容量增大的同时,也要求光通信元件向着小型化和低价位的方向发展。为此,小型封装(SFF: Small Form-factor)/小型封装可热插拔(SFP: SmallForm-factor Pluggable)收发器技术也日益流行起来。由于SFF/SFP收发器里采用了小型插入式激光二极管(LD),与以往支持LC连接器的收发器相比,更加节省空间、更加轻便。日本NEC公司开发出了11.6mm的小型可热插…     

大电流连续二极管激光器阵列电源主电路

提出了MOSFET管控制的大电流连续二极管激光器阵列驱动电源主回路；其成本低，输出连续电流达50A．波动幅度小于0．05A.介绍了电路的工作原理及主要元器件参数的计算方法。该电路设计已成功地应用于DPSSL构成的激光标刻设备。     

两种新型CMOS带隙基准电路

文章介绍了两种CMOS带隙基准电路.它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响.其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高△VBE,从而减小了运放失调的影响.仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228+0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在33v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW.     

Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析

采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺，制作了N型6H—SiC肖特基势垒二极管，对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明，该器件具有很好的整流特性，反向电流小、击穿电压高，且在高温下器件波动很小，能够稳定地工作，适合于在高温(600℃)等恶劣环境下长期可靠地工作。     

高密度垂直集成光电二极管焦平面列阵技术（下）

在p型材料中,俄歇复合包含两个空穴和一个电子,并且被称为俄歇7。对HgCdTe进行的计算表明,当0.2相似文献   

超快可调的二极管激光器

Omicron的新型二极管激光器，Deepstar，几乎拥有无限的调制能力，即使很高的调制率下，在调制“关闭”阶段也不会露出残余荧光。     

二端子有源矩阵LCD研究进展

首先介绍了传统的各种类型的二端子有源矩阵液晶显示的工作原理、结构和制作工艺。进而介绍了一种优于传统二端子模式的Lechner二极管有源矩阵液晶显示模式，并介绍了此模式的工作原理、研究现状、研究意义及发展态势．传统二端子模式都存在各自的缺点，不能很好地满足AM-LCD对于二端子器件的要求，用于AM-LCD都无法很好地达到预期目的。而Lechner二极管有源矩阵液晶显示模式，相对于其他二端子模式，只需使用二极管的正向特性，对阈值电压的要求降低，工艺更简单，图像显示质量更好，并且较易实现大屏幕显示。在目前TFT-LCD处于主导地位的情况下，通过对二端子有源矩阵液晶显示，特别是Lechner二极管二端子有源方式的研究，也许在不远的将来，实现降低AM-LCD生产线成本，简化大屏幕AM-LCD制作工艺将不是梦想。     

2006年激光器市场分析

二极管激光器市场在经过2年由快速增长变为适度增长之后,2005年的销售额达到了32.3亿美元,与2004年32亿美元的销售额基本持平,但仍占整个商品激光器销售总额的59%(参见图1).虽然二极管激光器在几个应用领域都出现了销售额增长的局面,如通信和各种大功率激光器的应用,但光存储用二极管激光器的年销售额却有所下降,这部分市场占二极管激光器市场份额的54%.     

一种使用一维电磁带隙结构的高性能Ka频段四次谐波混频器

介绍了一种全集成微带四次谐波混频器,该混频器采用了一种新型电磁带隙结构,可获得很低的变频损耗指标.阐述了一般的谐波混频理论,并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真.实测得到射频在34~36GHz的频带内,固定中频为100MHz,该混频器最小变频损耗7.67dB,最大变频损耗<10dB.