金属基原位生成薄膜应力传感器及其性能研究

针对传统“贴片”箔式传感器粘胶传递形变滞后、敏感栅和基底协同形变不佳以及粘胶易老化蠕变等问题,研制了一种金属基原位生成的薄膜应力传感器。该传感器通过在金属结构钢表面逐步原位沉积NiCrAlY合金过渡层、Al₂O₃绝缘层、康铜薄膜电阻栅网以及环氧灌封胶保护层等功能层制备而成。实验结果表明,原位生成的薄膜应力传感器(GF=11.94)相比于“贴片”箔式传感器(GF=7.29)具有更高的灵敏度,敏感栅和基底的协同形变效果更好,传感器的蠕变更小,使用长期稳定性也更好。     

6～18 GHz超宽带微带均衡器设计与实现

6～18GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求。根据谐振理论和传输线理论进行了6～18GHz超宽带微带幅度均衡器设计。利用ADS和HFSS仿真,采用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振频率可调、品质因数可调、带宽可调以及均衡量可调的谐振单元,同时增加适当的调节块对谐振频率进行微调,设计出满足指标要求的小尺寸样件,得到了所需的均衡曲线。实验表明,可以在这个频段上高效、准确、灵活地设计出所需均衡器。     

C60与金刚石薄膜成核关系的研究

采用热丝化学气相沉积法在覆盖C60膜的硅基片上沉积金刚石膜,研究了金刚石膜的成核与生长.实验结果表明,金刚石的成核密度可达1×106Cm-2,利用这种方法可实现衬底无损淀积金刚石膜.C60之所以能够促进金刚石成核,我们认为主要与C60分子本身独特的结构及H原子的激活作用有关.同时,高温下C60分解后残留的石墨等碳碎片以及C原子与衬底Si反应生成的SiC都可作为金刚石的成核位.     

线性共蒸法制备渐变折射率薄膜的光学特性分析

利用德鲁德理论和洛伦兹一洛伦茨理论，从介电常数分析人手，探讨了混合介质膜的折射率表达式，给出利用双源共蒸法镀制的渐变折射率薄膜在混合介质膜的总沉积速率恒定、两种膜料的单分子大小近似相等和沉积速率均为线性变化时的折射率表达式；从正变和负变、单周期和多周期、不同的周期数和不同的单周期厚度几个方面对渐变折射率薄膜的光学特性进行了模拟分析和讨论；对渐变折射率薄膜的实现、应用以及实验制备中有待进一步解决和处理的问题进行了讨论。     

C60与金属：界面相互作用和外延取向关系

本文介绍了Ｃ６０／Ａｌ，Ｃ６０／Ａｇ纳米体系的微结构和电荷转关系，以及Ｃ６０薄膜在不同金属衬底表面的生长和取向的关系。结果表明：（１）Ｃ６０／金属薄膜体积 的Ｒａｍａｎ光谱Ａｇ（２）模的罗化现象是由于Ｃ６０和Ａｌ间的界面电荷转移引起的；（２）Ｃ６０在金属表面的生长除了受晶格匹配的几何因素影响外，还决定际Ｃ６０与金属间相互作用的强弱。     

Bi4Ti3O12栅Si基铁电场效应晶体管特性研究

采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0～ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1～ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。     

直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征

采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150～220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能.     

氧化锌薄膜的光学相干层析检测方法研究

为了实现对氧化锌薄膜的厚度测量,采用光学相干层析成像的方法进行了理论分析和实验验证,获得了含厚度信息的1维深度图像和含内部结构信息的2维层析图像。结果表明,该方法测得的薄膜厚度值与理论值一致。该研究说明谱域光学相干层析成像技术的测量结果真实有效,可以用于薄膜的厚度测量和质量检测。     

用红外检测方法确定半导体器件上的残余膜

大规模集成电路和超大规模集成电路结构的形态一般是用三种显微技术即光学显微术、扫描电子显微术和透射电子显微术测定的。但是,业已证明,有许多种表面异常现象用上述三种显微技术是难以检测的。例如,残余的氧化膜就难以用光学显微技术观察到。     

氟金云母衬底上C_(60)薄膜的光学性质

用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌 .测量并分析了不同厚度 C6 0 薄膜的紫外 -可见吸收光谱 .由测量的透射及反射光谱 ,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系 .利用结晶半导体的带间跃迁理论 ,对禁戒的带间直接跃迁 hu→ t1 u和电偶极允许的带间直接跃迁 hu→ t1 g的带隙分别进行了计算