复合酶法制备植物小分子肽的研究

以大豆蛋白、花生蛋白为原料进行合理配比后,采用动态超高压均质预处理,再采用复配酶(木瓜蛋白酶与胰蛋白酶)和复合风味蛋白酶进行两步复合酶解.结果显示,超高压均质后,酶解度可提高2%-3%.最优条件为:超高压均质压力为60MPa;木瓜蛋白酶和胰蛋白酶按1:1复配,复配酶水解温度60℃,pH6.5,酶用量250U/g,底物浓度5%;复合风味酶水解温度55℃,pH6.0,酶用量200U/g.高效液相凝胶色谱法测定纯化后的小分子肽,分析表明分子量主要集中在3000Da以下.     

酶底物法检测水中菌落总数培养24h和48h的比较试验

酶底物法于2023年作为新型水中菌落总数检测方法被纳入《生活饮用水标准检验方法第12部分:微生物指标》(GB/T5750.12—2023)中。为便于更加科学规范地使用酶底物法检测生活饮用水中的菌落总数,文章采用酶底物法对80组生活饮用水及水源水的实际样品进行检测,并分析24h及48 h两个不同培养时间的检测结果。检测结果表明:酶底物法24 h培养结果和48 h培养结果差异较大,通过配对t检验分析可知酶底物法24 h培养结果与48 h培养结果P=0.000(<0.05),具有显著的统计学差异,对差异样品进行菌种鉴定发现,部分致病菌使用酶底物法培养24 h无法检出。故酶底物法检测生活饮用水及水源水菌落总数时,培养时间至少为48 h方可满足实验室对生活饮用水及水源水菌落总数的检测要求。     

不同有机底物对富铁污泥中蓝铁矿生成的影响研究

富铁污泥不仅可以固磷,而且可以通过生成蓝铁矿实现磷的资源化。污泥中不同有机底物会对蓝铁矿的生成速率产生潜在的影响,为探明其影响机制,研究了蛋白质、乙酸钠、葡萄糖对蓝铁矿生成的影响。试验结果表明：蛋白质组蓝铁矿生成量最大,相较空白组提升了35.23%,达到了（107.71±8.79） mg/g[TS],平均生成速率为4.42 mg/(g[TS]·d),而乙酸钠组和葡萄糖组的蓝铁矿生成量与空白组相比分别下降21.50%和19.74%。     

高分辨快原子轰击质谱法研究

本文介绍高分辩快原子轰击质谱技术（ＨＲＦＡＢＭＳ）。同时给出了内标物质和测量条件，讨论了数据处理方法。     

酶底物法和国标法测定饮用水中菌落总数的比较

本文使用酶底物法和国标法对地下水、水源水、饮用水中菌落总数进行了监测,结果经统计学检验,两种方法监测结果的P值小于0.5,无显著性差异。酶底物法可以替代国标法用于评价饮用水中微生物。     

两段双底物发酵生产1,3–丙二醇

利用Klebsiella pneumoniae生长与催化耦合的特点，将好氧生长与厌氧转化两个过程耦合，开发了两段双底物发酵生产1,3-丙二醇的新工艺，并对其工艺特点进行了初步研究. 结果表明，采用两段双底物发酵工艺，发酵过程菌体浓度明显高于传统的厌氧转化工艺，OD650最大值达到9.37，发酵60 h, 1,3-丙二醇的浓度达到50.16 g/L，生成速率达0.836 g/(L×h)，比传统工艺提高了45%.     

木瓜蛋白酶对壳聚糖降解作用的研究

研究木瓜蛋白酶对壳聚糖的降解作用.用分光光度法测定还原糖浓度和粘度法测定溶液粘度作为判断依据,探讨了各种因素对木瓜蛋白酶催化壳聚糖降解的影响.结果显示,木瓜蛋白酶降解壳聚糖的较佳条件:脱乙酰度85.7%的壳聚糖、底物浓度0.5%、pH4.0、温度40℃、酶底物比10%;酶解初始阶段粘度下降很快,30min内粘度下降百分比达到70.77%,1h之后粘度变化平缓.     

基于多衰减曲线计算药物代谢酶动力学参数的新方法

针对近年广泛应用于药代筛选的底物消除法,基于药物多衰减曲线,建立了酶促反应的线性化处理方程,提出了线性转换求解酶动力学参数的新方法。测定了9个探针底物在人肝微粒体中代谢的多衰减曲线,通过线性回归同时获得米氏常数Km、最大反应速率Vmax和内在清除率CLint等参数,并与传统的底物消除曲线拟合法进行比较分析,验证了新方法的有效性。多衰减曲线线性作图是一种简便、直观、可靠的数据可视化处理方法。     

酶底物对硝基苯-α-D-吡喃葡糖苷的合成

以葡萄糖为原料，经乙酰化、缩合、分离、脱乙酰化4步反应，合成了临床检验需要的α-葡糖苷酶底物——对硝基苯-α-D-吡喃葡糖苷。所合成的底物通过红外、紫外、核磁、旋光和元素分析确认了结构。     

Ni(Pt) 锗硅化合物/Si1-xGex 接触电阻的测试

The electrical properties of Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Si1_xGex contacts on heavily doped p-type strained Sil-xGex layers as a function of composition and doping concentration for a given composition have been investigated. A four-terminal Kelvin-resistor structure has been fabricated by using the conventional com- plementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） process to measure contact resistance. The results showed that the contact resistance of the Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Sil-xGex contacts slightly reduced with increasing the Ge fraction. The higher the doping concentration, the lower the contact resistivity. The contact resistance of the samples with doping concentration of 4×10^19 cm^-3 is nearly one order of magnitude lower than that of the sam- ples with doping concentration of 5 × 10^17 cm^-3. In addition, the influence of dopant segregation on the contact resistance for the lower doped samples is larger than that for the higher doped samples.