CVD金刚石工具膜生长特征SEM观察

本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积（ＣＶＤ）法生长金刚石膜，在Ｓｉ及ＷＣ－Ｃｏ硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异，经适当表面处理及选择合适的工艺条件，当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜，衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Ｒａｍａｎ谱分析表明此膜仅具有特征金刚石１３３２ｃｍ￣（－１）峰，通过ＳＥＭ观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长，并与衬底有良好的联结。     

局部施肥对植株生长及根系形态的影响

本文论述了局部施肥对植株地上部与地下部的影响。局部施肥促进了施肥区根系的发达 ,第一侧根与第二侧根较多 ,根的吸收表面积增多 ,根鲜重增加 ,对养分的吸收能力增强 ,但整个根系与地上部的干鲜重下降。     

薄膜生长初期形貌的计算机模拟与改进

本文模拟了在低温基底上超薄膜沉积初期表面形貌。文章模拟多个沉积原子同时移动的生长过程，引入了宏观量沉积流量影响。在此基础上讨论了各向异性的影响作用，并改进了模型，修改了基底吸附位置的排列方式，从而获得了与实验结果更相近的图样。     

缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

ECAP细化晶粒法的仿真与分析

ECAP(Equal Channel Angular Extrusion)方法，是实现材料纯剪切变形的有效方法。本文采用有限元（FEA）分析软件ANSYS对Al的挤压过程进行仿真与分析。分析结果表明：外切角Φ、圆角半径、试样与凹模之间的摩擦系数、凹模本身的特性（如弹性模量、泊松比等）等等，对材料的变形量都有不同程度的影响。     

校园网防 PROXY代理原理与方法分析

本文针对园区网尤其是校园网存在的RPOXY代理问题，进行了详细的技术说明，并针对不同的应用情况提出了多种解决方案。     

植物基因活化剂比施壮对辣椒生长和增产的效果

20世纪 8 0年代以来我国辣椒生产迅速发展 ,栽种面积、总产量和外贸出口快速增长。大棚、日光温室和其他保护设施栽培与反季节栽培大规模发展 ,以实现周年生产均衡应市。但是我地辣椒由于多种病虫的危害和低温、热害等不利气候因子的影响 ,损失产量常在 2 0 %～ 30 % ,影响经济效益。重庆市优胜科技发展有限公司研究生产的含腐植酸微量元素可溶性肥料能诱导、激发植物的优良生长发育因子 ,调动和激发植物充分发挥自身的潜能 ,增强免疫功能 ,增加防御机制抗御病害、干旱、洪涝、低温等能力 ;同时又能促进植株根系发达 ,叶绿素增加 ,提高光合…