汽轮机主汽门位置开关误动引起运行异常原因探析

分析了合成气压机驱动透平主汽门位置开关曾发生三次误动作，引起转速，三级后压力大幅上升的原因以及对故障的处理措施。     

过共晶Al－Si合金共生区激光表面处理

用２ｋＷ连续ＣＯ２激光对过共晶Ａｌ－１８Ｓｉ合金以不同能量密度和扫描速度进行快速熔凝处理。用扫描电镜、电子微区分析仪分析了微观结构。从计算机对Ａｌ－Ｓｉ合金ｆ－ｎｆ系统的非平衡理论计算所得的共生区及实验结果的分析可见，当能量密度和扫描速度决定的凝固条件处于共生区中部时，过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金激光表面处理可以得到共晶间距低于２００ｎｍ的完全共晶结构。     

纤维共晶生长界面前沿三维扩散场解析

修正Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ关于在垂直生长方向截面上溶质扩散各向同性假设，求解三维Ｌａｐｏｌａｃｅ方程，获得纤维共晶生长界面前沿三维稳态扩散场，并证明Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ的二维模型是实际生长的二维简化和一阶近似，并用丁二腈（ＳＣＮ）一梓脑（ＣＡＭ）纤维共晶系统计算生长界面前沿溶质分布。     

过共晶铝硅合金细化初晶硅的研究

研究了ZL8604过共晶铝硅合金初晶硅细化剂和加入方式与加入量以及影响细化效果的冶铸工艺因素,实验结果达到了技术指标要求。     

TiO_2压敏陶瓷晶粒半导化

本文主要研究 TiO_2陶瓷晶粒半导化的途径及晶粒电阻率的测试方法。实验结果表明,通过掺入Nb_2O_5施主杂质可以有效地降低晶粒电阻率,并使 TiO_2系陶瓷具有良好的压敏特性。     

金刚石薄膜中晶粒尺寸的研究

扫描电子显微研究表明，化学汽相沉积的金刚石薄膜中晶粒大小比较均匀。但随着沉积时间和薄膜厚度的增加，晶粒逐渐变大，且每一层内，存在少量的大金刚石颗粒，讨论了晶粒尺寸变化和大晶粒形成的原因和机制。     

正弦平方势和形变超晶格的沟道特征

本文利用我们曾提出的粒子-晶体相互作用势(正弦平方势)讨论了带电粒子在形变超晶格中的运动行为,导出了共振退道时的退道系数,指出了用沟道技术研究形变超晶格的灵敏性、可靠性和重要性。     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。