新型半导体器件—联栅晶体管（GAT）

联栅晶体管（ＧＡＴ）是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。本文介绍了ＧＡＴ的结构、特点及其应用。     

窑炮在处理窑结圈上的应用

窑炮在处理窑结圈上的应用高金辉，张群辉福建南平水泥股份有限公司（３５３０００）回转窑内结圈好比是窑内长了“肿瘤”，给窑的产质量、能耗和运转周期带来极大影响。常见结圈包括前圈和后圈，见图１。前圈乃熟料粘挂形成，而后圈的形成原因复杂，往往是多种因素共同作...     

异质谷间转移电子器件的计算机模拟

使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Ｇｕｎｎ器件相反，说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Ａｌ组份势垒结构的计算说明了Ｘ谷电子注入对器件工作的重要作用。     

电子变压器用的智能功率晶体管

VB348LDIH是用新的纵向功率IC工艺过程设计和制造的,它是一种具有五条引线的PENTAWATT(5瓦)功率器件,非常适用于电子变压器应用,价格也适中。这个IC由一个高压双极型MOS发射极开关功率级、驱动电路系统和保护部件(包括过温和过流关断电路)组成。该IC的主要优点是:过温和过流保护,集成DIAC(二极管交流开关)功能,及寄生参数的变化控制。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

纳米聚N-异丙基丙烯酰胺微凝胶的光引发聚合

选择具有温敏性的高分子单体N－异丙基丙烯酰胺（N－isopropylacrylamide，NIPAM）为主单体，N，N′－亚甲基双丙烯酰胺（methylenebisacrylamide，MBA）为交联剂，运用光引发无皂乳液聚合的方法合成出粒径小于100nm的高分子微凝胶，并研究了在改变体系组成和条件时微凝胶粒径的变化。结果显示，在乳化剂临界胶束浓度以下，随着乳化剂浓度的提高，微凝胶粒子的粒径不断关小且趋向稳定；相比于热引发，产生的微凝胶具有较高的单分散性而且粒径较小。