微光成型法实体模型固化过程的仿真

微光成型法在微小机械结构制造中的应用,能有效地提高设计的成功率。根据三维实体模型离散后的平面实体的特征,分别生成轮廓扫描和内部充填的行栅式扫描所需的CNC指令代码,再根据这些代码和微光成型法的基本成型原理,利用图形接口软件OpenGL和编程软件VC,实现了平面实体固化成形和立体层叠固化成型过程的仿真。从而可以检验数据处理和成型工艺参数设置的正确性,避免成型加工时可能出现的错误。该方法已在微光成型系统中得到了应用。     

MOEMS在光通信网络中的应用

主要介绍了微光机电系统(MOEMS)在光通信领域中的应用，重点介绍了MOEMS光开关等器件应用在光通信网络中的原理及优势，并对微光机电系统技术在光网络通信中的应用前景作了展望。     

微型可编程相位光栅的理论特性研究

本文提出了一种基于微光机电系统（MOEMS）的新型可编程相位光栅技术，并对其工作原理和理论特性进行了分析和研究，同时给出部分数值仿真结果，并得出了一些重要的结论。     

晶格匹配InAlN/GaN HEMT沟道温度评估方法研究

首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温度;脉冲电学法获得的温度值有所提升,但受限于水平空间分辨率,平均了源极-漏极之间的温度;微区拉曼光谱法能够准确获得沟道最高温度,但测量过程复杂,不适合评估封装器件。最后,提出了一种基于微光显微镜(EMMI)技术的微光电学法,获得了沟道温度的三角分布关系,得到了与拉曼光谱法一致的实验结果。该评估方法适合于实际生产。     

晶格匹配InAlN/GaN HEMTs栅极电流击穿行为研究

相较于传统AlGaN/GaN HEMTs,采用晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结可有效消除逆压电效应引发的器件可靠性问题,而且沟道二维电子气密度更高,更适合射频微波通信应用。然而,In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN HEMTs的外延片材料往往存在较高的位错密度,大幅度降低了器件的击穿场强。结合栅极偏压步进应力和微光显微技术,研究晶格匹配InAlN/GaN HEMTs的栅极电流击穿过程与机制,结果发现过激Fowler-Nordheim(FN)电流是器件击穿的主要原因。来自栅极的电子在高电场作用下发生FN隧穿成为高能热电子,它们会在异质结界面释放能量,导致该处形成大量新结构缺陷,同时InAlN材料本身固有可导缺陷密度相对较高,故当缺陷密度增加并达到某一临界值时,便会立刻发生瞬态静电释放,即电流热击穿。     

基于CMOS图像传感器的微光成像系统信噪比研究

信噪比是微光成像系统的关键参数,决定了成像系统的性能与成像质量。给出了互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）图像传感器微光成像系统的信噪比模型,仿真计算了系统的信噪比与信号、噪声的关系。搭建了信噪比测试环境,完成了系统信噪比测试实验。实验结果表明,理论值与实测值一致。最后,根据信噪比分析结果对给定系统进行了参数优化。计算结果显示,优化后的系统在1 mLux照度下,信噪比能达到4.5。信噪比的研究为基于CMOS微光成像系统的总体设计与优化提供了理论依据。     

一种16mm微光像增强器电源MCP高压调控电路设计

16mm微光像增强器电源是16mm微光像增强器的重要组成部件,为像增强管提供阴极、微通道板(MCP)、屏极提供所需的工作电压,实现像增强器的自动亮度控制(ABC)和阴极保护功能。本文通过对16mm微光像增强器MCP高压的控制方式进行分析研究,利用开关器件隔离控制功能实现MCP高压的动态调控,设计一种满足小体积电源需求的MCP高压调控电路。