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101.
晶片材料的超精密加工技术现状 总被引:4,自引:0,他引:4
文章介绍了晶片材料的超精密加工设备以及几种典型晶片材料加工工艺的最新发展 ,综述了几种典型超精密加工设备的特点以及单晶硅片、石英晶体、K9玻璃、钽酸锂单晶材料的加工工艺方法 ,探讨了晶片材料的超精密加工技术的发展趋势。 相似文献
102.
第五讲挤压垫优化设计沈阳新光模具制造公司赵云路西南铝加工厂刘静安1挤压垫的结构挤压垫放在铸链和挤压轴之间,其主要作用是避免挤压轴与高温金属坯料直接接触,防止轴端面过早磨损、粘铝、包轴和变形,从而提高挤压轴的使用寿命。挤压垫的结构形式与尺寸、装备、挤压... 相似文献
103.
104.
目的解决传统平面环抛过程中存在的两种问题:(1)抛光液受抛光盘和工件旋转离心力作用而抛光液在加工区域分布不均,导致加工工件高平面度差;(2)抛光液受到的离心力作用限制了抛光盘转速,导致抛光效率低。方法提出一种基于介电泳效应的平面抛光方法(DEPP),在抛光区域增加一个非均匀电场,利用中性粒子在非均匀电场中极化后受介电泳力的作用,使其具有向电极和抛光区域中心运动的现象,降低旋转离心力对抛光液的甩出作用,实现对平面工件的高速、高精度抛光。采用有限元分析软件数值模拟极化后磨粒所受介电泳力对离心力的抑制作用,优化产生非均匀电场的不同电极宽度,得到最优非均匀电场电极分布参数,实际测量优化电极后抛光液所受介电泳力的大小和方向,最后搭建试验平台验证介电泳效应高速抛光平面工件的有效性。结果提高抛光盘转速,进行抛光磨砂玻璃对比实验,加工1 h以后,采用介电泳效应抛光能完全去除玻璃磨砂层,工件平整度好,最终RMS值为0.276λ;无介电泳效应抛光后,工件中心部分磨砂层仍有存在,工件平整度相对较差,最终RMS值为0.694λ。通过测量加工去除量,介电泳效应抛光比无介电泳效应抛光的去除率提升了18%结论通过仿真模拟和实验验证,证明了调整电极布置形式以及优化电极分布参数后,介电泳效应高速平面抛光的方法能够有效提升抛光效率和抛光后工件表面平面度。 相似文献
105.
蓝宝石晶片纳米级超光滑表面加工技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出以蓝宝石塑性磨削和化学机械抛光为主要手段,以原子力显微镜为主要检测工具,来制备满足光电子领域要求的纳米级超光滑蓝宝石晶片的新方法。在高刚性磨床上,用W7的金刚石砂轮以f=1μm/r进给量,实现了蓝宝石晶片的浅损伤塑性域磨削。配制了以SiO2溶胶为抛光料的监宝石晶片专用抛光液,稳定地获得了无损伤层的RMS小于0.2nm的超光滑蓝宝石晶片表面。GaN外延生长所需蓝宝石晶片的合理抛光参数是:SiO2的粒子直径为7nm、浓度为3%、pH=11、压力P=200Pa。 相似文献
106.
本文利用扫描电镜发现大理石抛光表面存在有微米级的不同于大理石母材的变质层。进而利用透射电镜证明:该变质层是由非晶和微晶组成的。它的产生有助于提高大理石抛光表面的光泽度。 相似文献
107.
108.
109.
110.
平底水垫塘透水底板下表面脉动压力试验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
基于模型试验结果,研究了平底水垫塘透水底板下表面的脉动压力特性,分析了不透水底板及透水底板不同开孔率情况下的下表面脉动压力的分布规律、概率特性以及互相关特性和频谱特性。分析结果表明:在水舌冲击区,脉动压强系数随着开孔率的增大而增大;互相关系数随着开孔率的增加而略有减小,其旋涡保持性有所降低;透水底板较不透水底板下表面的脉动能量更加集中于低频。 相似文献