钢铁电抛光液Cr（Ⅵ）与Fe^3＋浓度快速测定

根据Fe~(2+)和Fe~(3+)离子在铂电极上的电化学氧化还原特性,采用DZ-I型电镀添加剂测定仪快速测定抛光液中Cr(Ⅵ)和Fe(Ⅲ)离子的浓度.实验表明,此法也适用于测定铜、铝、镍的铬酸电抛光液中Cr(Ⅵ)的浓度.     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

ULSI中多层Cu布线CMP表面粗糙度的分析和研究

分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响。实验证明,在一定的抛光条件下,选用SiO2为磨料、双氧水为氧化剂的碱性抛光液可以有效降低Cu层的表面粗糙度,使之达到纳米级,得到良好的抛光效果,从而解决了超大规模集成电路多层Cu布线化学机械抛光中比较重要的技术问题。     

铌酸锂CMP速率的影响因素分析

对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压力、流量等的实验研究,分析讨论了各因素对CMP速率的影响机制,并得出优化的CMP方案.     

SiO2抛光液对A1N基片抛光性能的影响

针对AlN基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响。通过对AlN基片进行抛光实验,确定pH为10.5～11.5时,采用大粒径、高质量分数纳米SiO2溶胶作为磨料,有利于抛光速率的提高。利用纳米SiO2溶胶、去离子水、pH调节剂和稳定剂自主配制抛光液A,与纯水按质量比1∶5稀释后,在压力1.8MPa、转速60r/min、流速340mL/min条件下,对AlN基片进行抛光,抛光速率为0.5μm/min。抛光1.5h后,AlN基片的表面粗糙度可达28nm,表面无划痕。     

用于铜的化学机械抛光液的研究

文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法 ,讨论了以 Si O2 水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学 (络合 )作用及反应机理 ,并给出了抛光液的配比及上机实验结果。结果表明 :该抛光液用于对带有阻挡层和介质层的铜抛光 ,达到了对铜层的高去除速率和高选择比 ,取得了较好的全局平面化效果     

螯合剂对酸性抛光液中铜离子沉积的影响

研究了几种螯合剂减少金属铜在晶片表面沉积的作用.将晶片放入含有或不含螯合剂的酸性抛光液中浸泡10min,用GFAAS测定表面沉积铜的浓度.结果表明,PAA、HEDP和AMPS的加入都能明显减少金属铜在硅片表面的沉积量,去除率分别为83%、79%和44%.进一步的研究发现,PAA过量时,即使螯合剂或者铜离子的浓度成倍增加,金属铜沉积量减少率变化不大.因此,加入过量PAA螯合剂不仅能够减少金属铜的沉积量,而且可以减弱沉积量的波动,增强工艺的稳定性.     

非掺锑化镓抛光工艺研究

分析了非掺锑化镓单晶片的化学抛光机制和影响获得表面质量良好的非掺锑化镓单晶片的因素，得到了非掺锑化镓的抛光工艺参数。利用该工艺可以制备表面光洁、平整、无缺陷的非掺锑化镓单晶抛光片。     

ULSI制备中多层布线导体铜的抛光液与抛光技术的研究

提出了在碱性浆料中 UL SI多层布线导体铜化学机械抛光的模型 ,对铜 CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度、抛光液成分的优化选择进行了实验研究。     

各组分体积分数对碱性抛光液存储时间的影响

主要研究了碱性抛光液各组分体积分数对其有效存储时间的影响。实验中每隔两个月测试了抛光液的pH值、平均粒径和Cu膜去除速率等参数随存储时间的变化值。研究表明:FA/O螯合剂体积分数是影响抛光液有效存储时间的主要因素,螯合剂体积分数越高抛光液的有效存储时间越短。在FA/O螯合剂体积分数较低时(8%),Cu布线碱性抛光液的有效存储时间在半年以上,基本能够符合产业化要求。SiO2磨料体积分数和非离子型表面活性剂体积分数是影响碱性抛光液有效存储时间的次要因素,对其有效存储时间影响不明显。