新型碱性抛光液对300mm TaN镀膜片CMP效果评估

TaN由于其良好的性能广泛用于布线铜与介质之间的阻挡层和黏附层.在对直径为300 mm的TaN镀膜片进行化学机械抛光(CMP)后,对比并分析了两种碱性抛光液对TaN去除速率、片内非均匀性、去除速率选择性和表面粗糙度的影响.结果表明,经过自主研发且不合氧化剂的碱性阻挡层抛光液抛光后,TaN的去除速率为40.1 nm/min,片内非均匀性为3.04％,介质、TaN与Cu的去除速率之比为1.69∶1.26∶1,中心、中间以及边缘的表面粗糙度分别为0.371,0.358和0.366 nm.与商用抛光液抛光结果相比,虽然采用自主研发的抛光液抛光的去除速率低,但片内非均匀性以及选择性均满足商用要求,且抛光后TaN表面粗糙度小,易清洗,无颗粒沾污.综合实验结果表明,自主研发的高性能碱性抛光液对TaN镀膜片具有良好的抛光效果,适合工业生产.     

低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究

对低压下铜化学机械抛光(CMP)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂R(NH2)m(OH)n实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kPa:1050nm/min; 6.89kPa:440nm/min)并降低了表...     

国际领先的金刚石抛光液通过鉴定

天津市乾宇超硬科技有限公司经过多年潜心研究，根据不同用途配制了8种粒度（从2～6mm到0．75～1．50μm）的系列金刚石抛光液。它们既可用单晶金刚石制造，又可用多晶金刚石制造，并选择了最佳浓度以提高产品的性价比。该抛光液金刚石粒度公布精度极高，颗粒分布均匀。经测试用1μm粒度的金刚石抛光液抛光金属工件，表面粗糙度肋值可由80nm提高至0．91nm。用纳米金刚石抛光液对硬脆材料抛光，可使表面粗糙度达Ra0．1～0．3nm。     

Ta-W合金的化学机械抛光实验研究

针对Ta-W合金材料圆薄片零件化学机械抛光工艺，设计了Ta-W合金材料化学机械抛光抛光液，并探讨了抛光液各组分的含量及抛光工艺参数对抛光速率和抛光件表面质量的影响。结果表明，当抛光液中磨料SiO2溶胶质量分数为40％-65％时，抛光速率也达到较高值并在一定的硅溶胶含量范围内波动不大；当抛光液中有机碱的质量分数为4％-6％时，抛光速率达到最大值；随着氧化剂含量的增加，去除速率几乎成线性增加，但随氧化剂含量的增大表面状态变差，故应控制氧化剂的含量；随着抛光液流量的增加，抛光速率也增大，但在流量增加到200mL／min后，速率的增加变得缓慢。     

集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究

经过对传统化学机械抛光技术的研究与分析，指出了目前ULSI制造中使用的传统化学机械抛光技术的缺点，通过对固结磨料化学机械抛光中的抛光垫结构、抛光机原理及抛光液的分析，得出了固结磨料化学饥械抛光技术的优点，同时还对硅片固结磨料化学机械抛光的缺陷进行了研究。     

银铜钎料的光亮处理和防变色的工艺研究

运用化学抛光工艺，对银铜钎料化学抛光的工艺参数和抛光液组分进行了一系列实验。为了保持抛光效果，还进行了防护处理，并通过进行人工汗渍和湿热对比试验，检验钎料的耐腐蚀性能。     

碱性水介质中纳米氧化铈的稳定分散研究

基于水介质中纳米氧化铈(CeO₂)难以稳定分散的技术屏障,在分析纳米氧化铈理化性质的基础上,采用超声波-药剂分散方法,研究了碱性水介质中纳米CeO₂稳定分散的条件与机理。结果表明,在颗粒浓度1 000 mg/L的纳米氧化铈母液中加入无机电解质SPP或PSPP,用去离子水稀释并调pH值为10.0,超声波分散-玻璃棒搅拌10 min,当SPP或PSPP浓度为1×10^-3 mol/L时,静置30 d期间纳米CeO₂的平均粒度几乎不随静置时间变化,平均粒度稳定在160 nm左右,此介质中样品具有良好的长效稳定分散性能。     

抛光工艺对GaAs抛光片粗糙度的影响

研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一定的抛光速率,应尽量采用多步抛光的方式,逐步降低抛光布的硬度和SiO2溶胶粒径,抛光液的pH值也要在合适的范围。因臭氧水的清洗工艺不会增加粗糙度,不失为一种控制GaAs抛光片表面粗糙度的有效方法。