0.1微米以下晶体管对传统概念的挑战

晶体管在集成电路中占据着中心的位置,在“开”、“闭”两种状态下都要消耗能量:开路时,电流从源极流向漏极;闭路时,栅极和沟道之间存在的电荷泄漏同样也会形成电流。对较大尺寸(1微米)的晶体管来说,这种静态电流只占到整体能耗的0.01％,而在0.1微米以下的晶体管中,这种电流造成的能耗已占全部能耗的10％。对便携设备来讲,不但要有更小的设计尺度,消费者还要求电池能用更长的时间。     

康佳的“大质量管理”

1980年，由广东华侨农商管理局和香港一个做收音机的电子业小老板建立起来的电子厂在深圳的一个小镇开业了，也许谁也不曾想到，这个叫做“康佳”的小厂会成长成为一个赫赫有名的大品牌。     

一种新的HEMT小信号模型参数提取方法

介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数，其次介绍了多偏置点优化算法。最后，以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试，实验采用一系列随机起始值，结果表明，提取的参数值与经验值相差小于1％。     

英飞凌混合动力汽车功率模块提高效率

英飞凌科技股份公司推出了两款面向混合动力汽车（HEV）传动系统的全新电子功率模块HybridPACK1和HybridPACK2。HybridPACK1功率模块用于轻度混合动力汽车，包括用于逆变器和负温度系数电阻的所有功率半导体，这样可使半导体面积降低30％。该模块是结合英飞凌领先的沟槽场终止IGBT（绝缘栅双极晶体管）技术和Emcon二极管技术进行开发的。对于轻度混合逆变器应用而言，采用高性能陶瓷衬底和英飞凌增强型引线键合工艺的扁平铜基片，     

L波段窄脉宽500W固态功放组件的设计

介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…