40Cr表面梯度晶体缺陷促进包埋渗Al涂层的组织及性能

包埋渗Al工艺是改善40Cr钢耐蚀性能的有效且经济的方法之一。在传统包埋渗铝(Al)法的工艺前加入扭转预变形,在40Cr钢引入高密度晶体缺陷增加扩散通道来提高包埋渗工艺中Al原子的扩散速率,从而达到降低加热温度、提高材料综合性能的目的。研究扭转工艺对晶粒取向、晶界、局部取向差的影响,表征扩散渗Al后试样的微观组织,测试硬度和耐腐蚀性能,分析不同温度(600℃、650℃、700℃及750℃)对渗层组织与性能的影响。研究结果表明：扭转变形在40Cr表面引入高密度晶体缺陷,可提高扩渗效率,增大渗层厚度;温度越高,渗层越厚,晶粒尺寸越大,组织的不均匀性增强,硬度越低。750℃时其渗层上存在较多的孔洞,对耐腐蚀性造成一定的影响,700℃试样耐腐蚀性能最优。     

材料科学基础之《晶体缺陷》讲解

材料科学基础课程中的《晶体缺陷》内容是学生较难理解的内容,学好本章内容对学生掌握材料科学基础课程具有十分重要的作用。文章详细介绍了如何讲解点缺陷、线缺陷和面缺陷,通过举例式教学配合播放动画视频,提高了学生学习兴趣,增强了学习效果。     

合成金刚石的同步辐射劳埃形貌相研究

劳埃同步辐射在非完美金刚石研究中用于快速获取晶体缺陷的信息. 在对合成金刚石晶体的宝石学初步研究的基础上, 利用同步辐射劳埃形貌相, 对合成金刚石的晶体缺陷进行了初步研究.     

同步辐射X射线形貌术在宝石学中的应用

简要介绍了X射线衍射形貌术实验技术及北京同步辐射实验室形貌站的实验技术。通过举例，扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在宝石级晶体缺陷研究中的应用。     

位错网络中反相畴界能与超位错分解

由螺型超错组成的位错网络中，螺旋超位错的分解宽度明显大于单独螺型超位错的分解度。各向同性线性弹性理论计算表明，这一现象是由于位错网络中，部分反相畴界相互抵消所致。随着反相畴界能的减小，这一效应将变得更加显著。     

六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究

我们利用电子显微镜的高阶弱束暗场成像技术和高分辨电子显微术对在ＧａＰ基体上由分子束外延生长方法制备的六角ＧａＮ薄膜中的晶界、畴界、线型位错进行了详细系统的研究。研究中我们确定了ＧａＮ薄膜中存在的大量线型位错基本都是Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为ｂ＝１／３〈１１...     

劳厄形貌术在碲镉汞器件研制中的应用（二）

讨论了反射劳厄形貌术的优缺点，结合碲镉汞器件研制工作给了实际应用的几个例子。如磅镉汞晶片结构检查，观察磅镉汞晶片的磨势损伤，跟踪观察磅镉汞晶片在不光刻、化学腐蚀成形、离子刻蚀成表前后的晶格变化等。     

超高强度钢的热模拟预应变淬火与马氏体形核机制

结合30CrSiMnMoV超高强度钢的热模拟预应变淬火，对组织中的马氏体板条宽度进行定量金相统计分析．其结果中出现了用经典形核理论无法解释的现象。因此，根据平面不变应变“稀释”原理，从位错的角度及其位错的弹性应变场出发，提出了马氏体相变的弹性应变平面波形核机理，并依此机理解释了马氏体相变及实验结果。     

衍射线宽化的线形分析和微结构表征(续)

<正>6位错等多重宽化的线形分析6.1晶体缺陷引起的衍射效应按照晶体缺陷的应变场,点阵缺陷分为:1点缺陷的应变场,按1/r2关系衰减,r为距缺陷的距离;2一维缺陷的应变场,按1/r关系衰减;3面缺陷的应变场是空间独立的,换言之,是均匀的。这种独特关系的3种不同类型缺陷应变场分别是短程的、长