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71.
采用溶胶-凝胶合成路线,通过反应体系的配方设计和工艺控制,在常温下获得含有锐钛矿晶体的氧化钛溶胶.核磁共振证实,前驱体钛酸丁酯在水过量体系中完全水解,生成无机产物;透射电镜中,可观察到溶胶中纳米级的正方体形锐钛矿晶体;在200~1000 nm波段内整百单波长光线照射下,溶胶均可使罗丹明B降解,即溶胶具有紫外、可见、近红外的宽光谱激发响应能力.量子效应产生的亚稳态次能级和原位生长导致的晶体缺陷,可拓宽氧化钛对光线的利用范围,并提高电子和空穴的量子产率.  相似文献   
72.
采用同步辐射白光貌相术研究了快速降温温度梯度法合成的大颗粒金刚石单晶体的晶体缺陷。晶体生长的早期形成了沿±[100]和±[010]方向延伸的平直位错,位错线均起源于种晶表面。晶体生长中期向[001-]方向生长,未生成新位错。在晶体生长的末期,形成了大量位错束,这些位错束由多条直线形位错组成,每个位错束中的所有位错生成于同一位错源,分布在扇形区域内,扇形夹角大多数在30°以内。这些扇形位错束的位错源均位于靠近晶体外表面的晶体内,在靠近(1-00)的晶面附近分布最多,(100)晶面附近比较多。少部分靠近(010)和(01-0)晶面。位错束的生长方向主要分布在[1-00]至[1-01-]区域和[001-]附近区域,少量向[010]、[01-0]方向延伸。位错束的形成和晶体合成末期的快速降温具有密切的关系。  相似文献   
73.
74.
车龙  堵永国  杨初 《贵金属》2015,36(2):33-37, 43
通过高能球磨制备的片状银粉将产生大量的晶体缺陷,这些缺陷的存在将影响银粉的导电性能。对高能球磨制得的片状银粉进行了热处理研究,以减少或消除片状银粉内部的晶体缺陷,改善其微观组织,提高银粉的导电性。结果表明,热处理使塑性形变后的银粉发生回复和再结晶,晶格畸变和晶体缺陷明显减少或者部分去除。  相似文献   
75.
SiC晶体测温技术研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
《中国测试》2017,(5):1-4
针对航空发动机结构复杂和工况条件苛刻的问题,研究基于SiC晶体材料的测温技术,解决航空发动机燃烧室、涡轮和尾喷管等高温部件的测温难题。选取国产6H-SiC晶体作为材料,进行6H-SiC晶体的中子辐照。研究晶体测温的温度判读方法,提出X射线衍射峰半高宽作为温度判读参数,测量温度可达1 600℃,测量精度达到1%,比国外晶体测温技术的测温范围更高。该测温技术具有微尺寸、微质量、无引线的非侵入式优点,可用于航空发动机及燃气轮机的高温测量。  相似文献   
76.
果世驹  赖和怡 《稀有金属》1994,18(3):208-213
研究了成份为(BiPb)_(18)Sr_(2.0)Ca_(2.2)Cu_(3.0)O_x的低密度冷压烧结块材,高密度热等静压块材及银包覆轧制带在磁场下的临界电流密度,体钉扎力密度与磁场的关系。钉扎机理的曲线拟合表明,磁通线剪切机理可以解释试样的磁通线钉扎行为。晶界第二相(玻璃相)、位错、层错的观察支持这种钉扎机理的判断。银包覆轧制带传输临界电流在磁场下的各向异性表明,要进一步改善钉扎能力需获取纳米级晶内钉扎中心。  相似文献   
77.
廖晶莹 《硅酸盐学报》1994,22(6):586-591
对坩埚下降法生长锗酸铋闪烁晶体的缺陷进行了研究,除使用通常研究透明晶体的光学方法,由于BGO晶体在受到光辐照损伤对短波长光具有高的吸收系数,因此还采用近紫外光吸收形貌法研究晶体缺陷,以及缺陷与晶体小面之间的关系,并根据BGO晶体的结晶习性和小面形成机理提出了减少和消除晶小面生长及缺陷的方法。  相似文献   
78.
79.
采用机械合金化+热压工艺制备了NbCr_2/Nb-XMo (X=0,2.5,5.0,7.5,10, at%)合金,研究了合金元素Mo对NbCr_2/Nb合金组织及性能的影响。结果表明:合金元素Mo主要存在于Nb基体中,对合金的物相不产生明显影响,合金仍由Nb固溶体和NbCr_2组成;Mo的添加使得NbCr_2/Nb的相界面处应力增加,导致NbCr_2颗粒中的层错/孪晶的密度增加,并促进了Nb基体中位错的运动,从而使得NbCr_2/Nb合金在保持高强度的同时,具有良好的塑性和韧性。  相似文献   
80.
采用提拉法生长了质量优异的Yb:Ca5(PO4)2F(Yb:FAP)晶体。运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态。由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知:晶体在生长过程中为微凸界面生长。高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物。且位错密度显著增加。Yb:FAP晶体的各向异性使得晶体在(10 10)面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而(0001)面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因。讨论了减少晶体中缺陷的一些方法。  相似文献   
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