铌酸锂晶片CMP过程的工艺参数研究

在铌酸锂晶片的化学机械抛光过程中，许多参数会在根本上影响CMP的化学和机械作用，但是把某一参数简单地归类于化学参数或机械参数都是不恰当的，文中分析了这些参数以及如何控制这些参数来影响CMP过程。     

砷化镓单晶片抛光工艺研究

由于砷化镓（ＧａＡｓ）及其它化合物半导体具有很重要的作用，目前对它们的工艺研究越来越多。本文主要介绍了一种比较成熟的ＧａＡｓ单晶片抛光工艺。     

Si4300：单芯片CMOS功率放大器

不同于有多颗晶片和离散零件组成的功率放大器模块．Si4300只使用一个晶片．并将其安装在很小的基座上，不但是业界最小的GSM功率放大器解决方案．也是第一个功能完整的单芯片GSM功率放大器解决方案。Si4300采用台积电的标准0．35微米CMOS制成技术．是第一颗利用CMOS技术制造的GSM功率放大器解决方案。Si4300采用Silicon Laboratories公司专利的新型放大器架构．并整合收发器到天线开关模块(Antenna Switch Module，简称ASM）之间的所有功能，     

芯片制造业发展有三大趋势是支撑起芯片业复兴的希望

现在业内采用的硅晶片直径一般为200毫米，今后的趋势是采用300毫米的硅晶片。300毫米晶片产生的芯片数量是200毫米硅晶片的2．4倍，从而大大降低每芯片的成本。而且由于300毫米硅晶片的整个生产过程包括了多达350～500个步骤，次品率大大降低。     

晶片减薄技术原理概况

从对晶片减薄的质量要求角度出发,论述了垂直缓进给(Creep-Feed)晶片减薄原理与垂直切深进给(In-Feed)晶片减薄原理。提出原理设计中的原则和相关问题。     

AMD半导体发表能有效提升晶片效能的双闸极式电晶体

全球第二大个人电脑 (PC)微处理器制造商超微半导体 (Advanced Micro Devices) AMD表示 ,已成功缩减电晶体 (晶体管 )的体积 ,使得一颗晶片上可容纳高达 1 0亿个电晶体。电晶体是微处理器的基本分子 ,当电晶体快速开启与关闭时 ,便赋予了晶片运算的能力。超微表示 ,该公司采用业界标准技术 ,已制造出迄今最小的双闸极式电晶体 (double- gatetransistors)。供电流通过以启动电晶体的闸门仅宽 1 0纳米 (奈米 )。双闸极式电晶体问世意味着目前能容纳 1亿个电晶体的晶片 ,可能容纳 1 0亿个此种微小的电晶体。双闸极式电晶体能有效地让从中通…     

基于石墨烯的太阳能电池转化率达15.6%

正在2012年,佛罗里达大学的研究员发布了一篇报道称,他们将一层掺杂有三氟甲磺酰基-酰胺(TFSA)的石墨烯镀在硅晶片上,再使用这块硅晶片制成一个太阳能电池,这块太阳能电池的有效转化率可达到8.6%。现在另外一个团队称他们放弃使用硅材料,而是使用基于石墨烯材料制成了一个太阳能电     

“发电鞋”的研究综述

鞋底发电技术是目前较流行的一种实用技术,它是利用发电机原理,将人们在步行时候的动能转化为电能。只要人在行走就会产生电能。电能经过电源处理电路存在小电池中。本文阐述了鞋底发电技术的基本原理,对比分析了三种现有的鞋底发电技术,对每一种鞋底发电技术进行了可实施的结构论证,为后续研究提供有利证据。