美国英特尔公司与台积公司成功签署合作协议

美国英特尔公司与台湾积体电路制造股份有限公司于美西时间3月2日上午宣布签订合作备忘录,缔结双方在技术平台、硅智财架构及系统单晶片解决方案上的合作关系。根据此一协定，英特尔公司将移植其Atom中央处理器核心至台积公司包含了制程、硅智财、资料库与设计流程的技术平台。此次的合作，有助英特尔公司的客户更方便使用Atom系统单晶片，并借由台积公司多样的硅智财服务，     

难以获利CDMA手机市场前景不佳

2006年6月26日消息，手机大厂诺基亚和业界观察人士日前表示，手机生产商几乎不太可能从廉价的码分多址（CDMA）手机上获利，这令人对CDMA在新兴市场的前景产生怀疑。诺基亚手机部门主管Kai Oistamo在接受采访时表示：“在这个分割的市场格局中，很难通过低端CDMA手机获利。”稍早诺基亚表示将退出CDMA手机生产，因CDMA手机晶片唯一供应商高通（Qualcomm）索要的授权费用太高。事实上，全球CDMA市场节节败退的迹象随处可见。     

双压电片振子精密载物工作台研究

利用两端固支的双压电晶片在电场作用下可弯曲变形,且有中心区域变形量大的特点,并研制了一种简单的基于粘-滑(stick-slip)原理的步进式载物工作台实验装置。该装置结构简单,可在工作平面实现二维移动。进一步分析了该装置的结构特点和作用机理,并进行了初步实验研究。通过实验测试表明,此装置具有较好的承载能力和运动稳定性,可望在位移分辨率为微米、亚微米级但方向性要求不高的场合作为载物台使用,如在显微镜下观测样本、运送微小零部件至装配线等。     

国内首条碳化硅晶片中试生产线建成

据报道，中科院物理研究所与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作研发出了具有自主知识产权的第二代碳化硅晶体生长炉，进一步优化了具有自主知识产权的碳化硅晶体生长工艺，使晶体质量的稳定性和产率得到提高。同时，在国内建立了首条完整的从切割、研磨到化学机械抛光的碳化硅晶片中试生产线，建成了百级超净室，并开发出碳化硅晶片表面处理，清洗、封装等工艺技术，使产品达到了即开即用的水准。[第一段]     

集成电路低峰值功耗研究

随着手持设备的兴起和芯片对晶片测试越来越高的要求。内建自测试的功耗问题引起了越来越多人的关注，本文对目前内建自测试的可测性设计技术进行了分析。并提出了折叠种子优化降低节点峰值功耗模型，通过调整种子结构和测。试向量的相关性的办法来避免过高的SoC测试峰值功耗，采取了屏蔽无效测试模式生成、提高应用测试向量之间的相关性以及并行加载向量等综合手段来控制测试应用，使得测试时测试向量的输入跳变显著降低．从而大幅度降低节点的峰值功耗。实验结果表明。该方案可以有效地避免BIST并行执行可能带来的过高峰值功耗。     

压电双晶片驱动的压电微泵的研究

介绍了一种基于MEMS技术的压电微泵。该微泵利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为泵膜,利用双面湿法腐蚀形成被动阀,并利用压电双晶片作为驱动部件。对压电双晶片的理论变形量和压电微泵的泵腔变化量、泵腔压缩比进行了理论分析,并对其输出流量进行了测试。在100 V、20 Hz的方波驱动下,该压电微泵的最大输出流量为317μL/min。结果显示该压电微泵的制作工艺简单,具有良好的流体驱动性能。     

HT250材料超声探伤中的衰减性探究

HT250材料目前在很多行业中有广泛的应用,为探究其在超声探伤中的衰减性,利用一组参数不同的直探头测定HT250和45钢的衰减系数。检测结果表明:1)HT250衰减系数大于45钢。2)探头频率和晶片尺寸均影响着衰减系数大小。开展模拟实验分析它们对衰减系数的影响,模拟结果表明:提高探头频率使衰减系数增大,频率越高增幅越大;探头晶片尺寸增大使衰减系数减小,且探头晶片尺寸对衰减系数影响弱于频率。     

热释电探测器敏感层材料关键性能参数测试

热释电材料铌酸锂(LN)晶片可作为热释电探测器敏感层材料。介电常数和介电损耗是判断热释电材料性能的2个重要参数。为解决在测试参数时,测试数据量大,测试精度要求高、测试时间较长等问题,提出了一种自动采集、自动记录及处理的测试系统,并测试出减薄前后LN晶片的介电常数和介电损耗随温度的变化曲线。经过数据分析得出,LN晶片的相对介电常数随着温度的升高呈增大趋势,减薄前后其相对介电常数变化不是很大,减薄后略减小;而LN晶片的介电损耗随着温度的升高呈增大趋势,160℃以下增长缓慢,但在160℃以上迅速增大;LN晶片的介电常数和介电损耗随温度的变化情况基本符合低温条件下德拜模型偶极子弛豫。