键合技术的研究进展及应用

晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制造传统外延生长技术不能制造的结构和器件.概括介绍了近年来Ⅲ-V族化合物半导体材料键合技术的最新研究进展及其在光电子器件和集成领域的应用.     

理解倒装芯片和晶片级封装技术及其应用

1 引言 半导体技术的进步大大提高了芯片晶体管数量和功能,这一集成规模在几年前是无法想象的.因此,如果没有IC封装技术快速的发展,不可能实现便携式电子产品的设计.在消费类产品小型化和更轻、更薄发展趋势的推动下,制造商开发出更小的封装类型.最小的封装当然是芯片本身,图1描述了IC从晶片到单个芯片的实现过程,图2为一个实际的晶片级封装(CSP).     

可调色温、显指的前沿白光大功率产品技术分析

白光LED应用在照明领域对其技术参数的要求很高,尤其是室内白光大功率灯具产品对发光效率、色温及显色指数有更高的要求.文章探讨了一种前沿的色温及显色指数可调的技术,通过红光补偿提升显色指数,并通过黄光补偿降低色温,该技术的优势在于显色指数及色温可调的同时,发光效率也有提升.     

DB-6120全自动芯片键合机图像处理系统分析及软件处理

概述了DB-6120全自动芯片键合机图像处理系统的组成及工作原理,重点介绍了软件结构及设计方法,并对晶片及芯片对准、芯片识别技术进行了重点探讨。     

LED用蓝宝石晶片湿法腐蚀清洗技术的研究

介绍了蓝宝石晶片的清洗原理：通过分析蓝宝石的表面净化原理和对湿法腐蚀清洗工艺试验的研究,提出了一种适用于工业化生产蓝宝石晶片的清洗剂和净化工艺,满足了LED领域的蓝宝石晶片表面洁净度要求。     

一种基于连杆机构的仿生四足爬壁机器人设计

文章通过研究壁虎(gecko)的足部结构、身体构造以及运动方式,设计了一款基于切比雪夫连杆机构的仿生四足爬壁机器人,该机器人采用对角步态的运动方式,在机器人足部使用了一种双晶片驱动器来模拟壁虎脚趾的内翻-外翻动作,可以保护机器人吸附结构。文章设计的基于连杆机构的仿生四足爬壁机器人较现有的仿生四足爬壁机器人的结构更为精简,且运动可靠,控制简单,可以为仿生四足爬壁机器人的研究提供一些参考。     

GaN晶片电化学腐蚀表面摩擦磨损特性

目的 研究GaN晶片腐蚀表面的摩擦磨损行为,分析电化学腐蚀条件及介质环境对摩擦磨损行为的影响。方法 对不同条件电化学腐蚀后的GaN晶片表面进行摩擦磨损实验,通过腐蚀表面的摩擦磨损行为分析电解质溶液(NaOHNa2S2O8H3PO4)和腐蚀电位对GaN晶片腐蚀效果的影响,以及腐蚀表面材料的磨损去除特性。结果 水介质的润滑作用能有效保持摩擦因数曲线的平稳;不同电解质溶液电化学腐蚀的GaN晶片表面摩擦磨损存在明显差异,摩擦磨损区域沟槽尺寸和磨损率的顺序为NaOH>Na2S2O8>H3PO4;腐蚀电位磨损实验结果表明,腐蚀电位越高,摩擦因数越大,磨损率越大,磨损沟槽表面缺陷越多;通过电化学工作站,测试分析了极化曲线,得到电化学腐蚀速率顺序为NaOH>Na2S2O8>H3PO4,与材料去除磨损率规律一致。结论 摩擦表面的磨损特性表明,腐蚀表面摩擦磨损率越大,磨损区域的缺陷越多,对应的电化学腐蚀速率越快,表面腐蚀作用越强,在磨损过程中材料越容易被去除。在电化学腐蚀表面摩擦磨损过程中,磨料的引入可明显改变腐蚀表面的摩擦磨损特性,硬质金刚石磨料能显著增大表面磨损率,摩擦因数增大,且曲线波动大,磨损区域的缺陷增多,材料去除呈现明显的脆性断裂痕迹;软质硅溶胶磨料相较于金刚石磨料,其磨损率变小,但摩擦因数曲线更平稳,磨损区域的磨损缺陷减少,表面材料呈现明显的塑性域去除。     

基于全光纤相干层析系统快速扫描探头的研制

提出并实现了应用于光学相干层析系统(OCT)的快速扫描探头结构。该探头利用带有自聚焦透镜的光纤悬臂的共振特性,通过对压电双晶片施加共振频率下的方波电压,实现光纤悬臂的一维线性扫描。利用二维位置敏感探测器,同步记录扫描轨迹。通过软件对光纤延迟线的非线性进行校正。并将扫描探头应用于OCT系统中的玻片实验,获得清晰玻片的二维图像。该探头具有结构简单、易于控制、成本较低、精度较高、速度较快等优点。     

压电圆环晶片堆的径向振动分析

通过理论分析、数值计算、实验测量研究压电圆环晶片堆的径向振动,应用压电本构方程,通过求解晶片堆的导纳,取其最大,推导压电圆环晶片堆的共振频率方程。采用数值法对理论方程进行模拟计算,用阻抗测量和激光扫描測振实验测量单片圆环和晶片堆的共振频率,并与理论计算进行比较,结果吻合较好,误差小于1.5%。     

硅（外延）片表面结构缺陷的光学无损检测

反射型魔镜检测方法（Ｒ－ＭＭ）是基于“局域波面畸变”缺陷成像原理的一种光学无损检测方法．我们采用Ｒ－ＭＭ方法检测了大量的硅片和硅外延片，非常方便直观地观测到漩涡缺陷、杂质条纹、管道等十多种反映实际生产工艺问题的缺陷，经化学腐蚀对比实验表明，检测结果是可靠的．在本文中，我们还着重讨论了外延层对衬底结构缺陷“放大”作用及其物理机制．并报道了缺陷种类与外延片类型之间存在的一些特殊对应关系．