提高常规色谱分析的速度,应对新法规的需求

珀金埃尔默公司新推出的Clarus 600型GC和GCMS采用全新柱温箱设计，能够缩短每次分析循环的时间，在有限的时间内可以完成更多的分析测试，从而提高分析效率和仪器的投资回报率。特别适合于需要大批量分析检测的实验室和需要测定挥发性有机物的分析工作。     

有机物性估算系统OPES微机版本的研制（II）：软件的开发与特性

本文主要介绍有机物性估算系统ＯＰＥＳ（ＯｒｇａｎｉｃｐｈｙｓｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｙＥｓｔｉｍａｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ）微机版本的软件特性，ＯＰＥＳ的总体结构采用将输入，输出与物性估算程序完全分离的策略，实现了系统有效分解，物性估算程序的进一步分解则有效地解决了ＤＯＳ环境下开发大型应用程序所面临的内存使用问题，标准化模块的设计思想既提高了软件的开发效率，又方便了今后软件的维护，本文从基础物性数据库检     

PAA-PSF交联复合膜的制备及对低浓度有机醇水溶液反渗透分离性能研究

进行了ＰＡＡ（ＰｏｌｙａｃｒｙｌｉｃＡｃｉｄ）－ＰＳＦ（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）交联复合膜的制备，研究了交联剂、添加剂对膜性能的影响，并通过扫描电镜观察了膜的断面结构．研究了ＰＡＡ－ＰＳＦ交联复合膜对低浓度有机醇类水溶液反渗透分离性能．发现对于１０００×１０－６乙醇水溶液截留率达到６６．２％，透过流束可达０．９×１０－６（ｍ３·ｍ－２·ｓ－１）．随醇的分子量的增加，截留率不断上升，对戊醇的截留率达９４．３％，而透过流束则保持相对稳定．对不同结构醇类的分离性能研究表明，截留率存在有：ｔｅｒｔ－＞ｓｅｃ－＞ｉｓｏ－＞ｎ－的规律．     

GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制

利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。     

新型电凝聚法去除淡水透镜体有机物的试验研究

研究了用电凝聚法去除珊瑚岛地下水有机物的试验研究。结果表明，电凝聚法对珊瑚岛地下水有机物的去除效果显著。当电极板间距d为5mm，电流密度IF为A/m^2，水流停留时间T为100s左右时，处理后水的色度降为10度以下，浊度降为2．8度以下；此外，还研究了不同电极板形式对处理效果的影响，发现折板形电极板有着比平板形电极板更优的处理效果。     

浅谈有机物的生物氧化和化学氧化

随着环境保护工作的加强，有机营养性的好氧微生物日益受到人们的重视，并被广泛利用。在江、河、湖、海等自然水域的自净过程中以及在污水及工业废水的生化处理中，它们都起着非常重要的作用。在氧存在下，它们能够摄取多种多样的有机物，并加以分解。有机物的氧化分解过程，是由预备代谢经路和呼吸回路所组成。有机物在前一经路中进行低分子化并且生成中间代谢产物，而在后一回路中，中间产物进一步无机化乃至完全氧化。微生物摄取了有机物以后即行增殖，至使微生物的呼吸量增加，从而消耗了水中的溶解氧。生化耗氧量（BOD）的稀释测定…     

MOCVD工艺中使用的特种气体

一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。     

四种国民常用饮水中非挥发性有机物及其致突变活性的比较研究

比较我国居民常用饮水种类自来水、净化水(自来水经净水器过滤)、凉开水(自来水经煮沸后冷却)、纯净水(自来水经以反渗透为主的多重工艺处理)的非挥发性有机物(NOP)污染状况及其致突变活性。结果表明,四种水中检测到的NOP种类分别为自来水39种,净化水40种,凉开水20种,纯净水8种;毛细色谱显示的NOP总丰面积值依次为5.62×109,5.57×109,2.65×109,1.87×109。四种水的移码型及碱基置换型致突变活性依次为:自来水>净化水>凉开水>纯净水,其中自来水在相当1L、2L、4L水量的剂量均为阳性致突变活性,而纯净水在同样的剂量均为阴性。     

银川市室内环境空气污染现状及治理措施的初探

本文通过对银川市室内环境空气污染现状的调查与检测,阐述了室内环境空气污染的来源及危害,提出了污染治理措施。     

MOCVD技术

金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 简称 MOCVD)自 20 世纪 60 年代首次提出以来,经过 70 年代至 80 年代的发展,90 年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术,特别是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法。到目前为止,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看还没有其它方法能与之相比。MOCVD技术