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221.
本文简要论述了未来的HDTV电视广播中所使用的显示器件分辨率及其制约因素,重点讨论了CRT型电视中显示器件分辨率与整机清晰度的关系,分析了高分辨率CRT的实现途径,另外,文章也涉及到了标准清晰度电视用CRT在分辨率上的基本要求。  相似文献   
222.
给体的光致发光量子效率、受体的消光系数及给体的发射谱与受体的吸收光谱的重叠程度,这3个因素对给体与受体间的能量传递效率有重要影响,这对于扩大材料的选择范围,实现有机电致发光的全色显示有重要启示。研究发现在Alq3中掺杂DCM制得的器件很好地满足了这3个条件。本文从Foerster能量传递的3个影响因素出发,对Alq3/DCM、TPD/Alq3等不同掺杂体系的光致发光、电致发光特性和能量传递效率等进行了讨论。  相似文献   
223.
《中国机械工程》2006,17(12):1241-1241
本书介绍了微电子机械系统(MEMS)的相关基础知识、MEMS主要工艺和器件结构等方面内容,对该领域的热点研究问题进行了探讨,主要内容分为五个部分,首先介绍MEMS的相关力学量测量方法,使读者对力学量方面的知识有详细的了解,然后介绍MEMS中的主要工艺,在此基础上,系统介绍MEMS中的传感器部分,包括传感器的原理、结构和实现方法,  相似文献   
224.
由吉化集团公司精细化工技术中心承担的中油公司重点科技开发项目——新型无卤有机阻燃剂MPP.BAPP,日前在北京正式通过中油公司组织的专家验收。  相似文献   
225.
详细论述了超高速电光采样技术的原理和实现方法,提出了不断改善电光采样的方法,对比了电光采样和其他采样技术的时间分辨力和带宽.  相似文献   
226.
本文着重讨论工业生产直接氧化过程中有机过氧化物(organic Pe-roxides)的形成、检测、及由有机过氧化物引起的爆炸事故的防治方法。  相似文献   
227.
High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。  相似文献   
228.
229.
本文的第一部分介绍了具有数字遥控能力的前置放大器电路的基本结构,所采用的器件和基本工作原理。本期将介绍这种电路的组装和调试方法。爱好者可以根据需求选择不同的元件和框架组成自己不同结构的“个性化”前置放大器,为此请阅读第二部分内容。  相似文献   
230.
深亚微米技术和超深亚微米技术的发展使电子工业正在向可编程系统芯片(SOPC)设计转移。针对SOPC全新的设计流程,本文提出了基于IP的SOPC设计集成平台概念和设计策略,以及基于FPGA/CPLD的SOPC实现方案。  相似文献   
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