首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   46869篇
  免费   3229篇
  国内免费   2354篇
电工技术   3847篇
技术理论   2篇
综合类   4643篇
化学工业   4576篇
金属工艺   1464篇
机械仪表   4029篇
建筑科学   6372篇
矿业工程   2161篇
能源动力   816篇
轻工业   3213篇
水利工程   1617篇
石油天然气   1774篇
武器工业   544篇
无线电   6178篇
一般工业技术   3331篇
冶金工业   1784篇
原子能技术   259篇
自动化技术   5842篇
  2024年   361篇
  2023年   1160篇
  2022年   1512篇
  2021年   1675篇
  2020年   1292篇
  2019年   1316篇
  2018年   686篇
  2017年   1053篇
  2016年   1208篇
  2015年   1689篇
  2014年   2960篇
  2013年   2325篇
  2012年   2785篇
  2011年   2913篇
  2010年   2574篇
  2009年   2562篇
  2008年   3006篇
  2007年   2574篇
  2006年   2218篇
  2005年   2191篇
  2004年   1790篇
  2003年   1676篇
  2002年   1491篇
  2001年   1266篇
  2000年   1084篇
  1999年   979篇
  1998年   829篇
  1997年   751篇
  1996年   711篇
  1995年   666篇
  1994年   600篇
  1993年   465篇
  1992年   485篇
  1991年   473篇
  1990年   467篇
  1989年   418篇
  1988年   74篇
  1987年   46篇
  1986年   31篇
  1985年   15篇
  1984年   16篇
  1983年   8篇
  1982年   18篇
  1981年   16篇
  1980年   8篇
  1979年   3篇
  1973年   1篇
  1965年   1篇
  1959年   1篇
  1951年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
11.
宋玉  崔晓燕 《信息技术》2006,30(11):57-60
WCDMA作为第三代移动通信系统的主流标准,能够提供多种类型的多媒体服务。为了实现各种用户平面数据的传输,系统会提前通过控制平面对所需的无线资源进行分配。由于配置过程是通过接口之间发送控制平面应用协议消息来实现的,因此能否正确有效地对信令消息进行编解码成为保证系统稳定工作的关键因素。3GPP标准中,ASN.1语言被用来描述接口信令消息。首先简要介绍了WCDMA系统结构以及主要接口协议,重点描述了ASN.1存在的意义及其编解码规则,最后给出了基于ASN.1的开发环境下应用层网络协议的开发流程。  相似文献   
12.
为了提高非稳定渗流计算的计算精度 ,通过数学分析得到了水位传导系数随时间变化时 ,一类非稳定渗流井流模型的半解析解 ,并进行了计算比较  相似文献   
13.
首先介绍了本地传输网所承载的业务,然后介绍了本地传输网的现状,接着概括总结了本地传输网目前存在的问题,最后提出了调整和优化思路。  相似文献   
14.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
15.
16.
有杆抽油系统的供排协调问题是影响系统效率和油井潜能的根本问题,但以目前通用的技术装备水平,从设计到现场管理的各环节都很难解决,有杆泵智能控制系统针对该问题,整合了信息、自动化、智能化技术,建立了动液面回波的识别模型与计算方法以及配套的计算控制软件.[编者按]  相似文献   
17.
文章主要讨论了自动交换光网络(ASON)控制平面的两种不同结构:控制平面在网元外部的结构和控制平面部分集成在网元内部的结构,并对这两种结构进行了比较.  相似文献   
18.
19.
20.
《电子产品世界》2006,(7X):53-54
安森美半导体(ON Semiconductor)推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列,新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术,可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻(38℃/W)与额定功率(1.9W),额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190%,  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号