预烧淬火速度对NiCuZn铁氧体性能的影响

采用传统的氧化物法制备NiCuZn铁氧体,预烧保温后采用了三种不同方式冷却,研究了冷却速度对材料微观结构和磁性能的影响。发现随着冷却速度的加快,可获得更好微观结构、更高起始磁导率、更低损耗、更高烧结密度之低温共烧材料。     

D-S理论中证据损耗分析及改进方法

分析了传统D-S理论在证据组合过程中的误差、抗干扰能力弱以及与人类思维相悖的原因;认为主要是由于部分定义和规则的局限性引发了组合过程中的证据损耗;提出了一种扩展的定义和组合规则,发现并解决了完全兼容证据组合过程中的证据损耗,有效地化解了冲突;理论分析和实验结果支持了方法的合理性与可行性.     

基于TRAC020LH的介质损耗测量

分析了介质损耗的相量测量方法．根据其原理设计了基于用单片机和完全可重配置电路的介质损耗测量仪．文中详细介绍了TRAC020LH的配置方法及系统硬件组成．同时描述了测量软件设计思想。     

深过冷Fe82B17Si1合金的凝固组织与软磁性能

采用扫描电镜、X射线衍射仪等分析方法,系统研究了凝固组织对深过冷Fe82 B17 Si1合金软磁性能的影响.结果表明:该合金的最佳软磁性能位于Fe2B相完全粒化的超细球状非规则共晶组织区,通过减小该组织中Fe2B相尺度可进一步改善其软磁性能;该合金的磁损耗机制与常规软磁材料不同,材料中存在较大的剩余损耗,其磁损耗大幅度降低的Fe2B相临界尺寸为0.5μm左右.     

SiO2平面光波导工艺中的反应离子刻蚀研究

利用反应离子刻蚀工艺实现硅基SiO2平面光波导的刻蚀,研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀侧壁光洁度等刻蚀结果的影响,并首次研究了分别以无定形硅与多晶硅作为SiO2波导刻蚀掩膜对刻蚀垂直度的影响.利用改进的SiO2反应离子刻蚀工艺,得到了传输损耗极低的SiO2光波导.     

化学气相沉积聚合制备聚乙酰基对苯撑二甲基及其性能的研究

通过化学气相沉积(CVD)聚合法合成了聚乙酰基对苯撑二甲基,采用红外光谱(FTIR)证实了二聚体和气相沉积聚合物的化学结构.与聚对苯撑二甲基聚合物相比引入乙酰基后聚合物的溶解性、介电常数和损耗因子均有所提高.将红外光谱与热重(TG)分析相结合研究了聚合物膜的热降解性能,表明聚乙酰基对苯撑二甲基的热降解基本上经历3个阶段,首先是乙酰基降解,接着是连接苯环的亚甲基,最后是苯环的降解.尽管聚乙酰基对苯撑二甲基的初始热降解温度低于聚对苯撑二甲基,但仍有普通热塑性高分子材料的热稳定性.聚乙酰基对苯撑二甲基是一类优良的、具有一定极性从而具有较好底物附着力的敷形涂层材料.     

低损耗、高消光比的Z切钛扩散铌酸锂调制器

为了获得低损耗、高消光比的光波导电光调制器,以钛扩散铌酸锂( Ti: LiNbO3 )波导折射率的分布和光波导的优化设计为基础,利用有限差分光束传播法( FD-BPM )和点匹配法,从理论上给出了一种光损耗为-0.53dB、消光比为30dB的Z切钛扩散铌酸锂调制器。并且,在10Gbit/s的系统中对其进行了测试,取得了在120 km长的光纤上传输无误码的效果和较清晰的眼图。     

输电损耗的分摊原则

在分析现有输电网损耗分配方法的基础上，针对损耗分配中的主要问题，从公平公正、快速高效、收支平衡、过程透明、经济信号、潮流基础和网络拓扑几个方面，分析并提出了输电损耗分配应该满足的主要原则，为进一步研究输电损耗的公正有效分配方法奠定了基础。     

自愈式电容器的运行管理

《农村电网建设与改造技术原则》(国电农[1999]191号),在无功补偿一章中提出:“积极推行无功补偿监测和自动投切装置。应采用性能可靠,技术先进的集合式、自愈式电容器”。 自愈式电容器是选用具有自愈性能的聚丙烯金属化膜作为电容器元件的介质和极板的。聚丙烯金属化膜不仅有高的工作场强和低的介质损耗特性,而且体积小、容量大、损耗少。所以,自愈式电容器性能优于油浸纸介质电容器,是一种具有发展前途的节能产品。     

电机中几个概念性问题的深入分析

分析了电机中铁心损耗的形成机理及其本质,讨论了直流电机电枢反应的去磁机理,明确了同步发电机准同期并列的含义,从而深刻理解有关基本概念。