基于谱聚类的不平衡数据欠采样方法研究

不平衡数据的分类问题在数据挖掘和机器学习领域中,一直是备受关注的问题.论文从数据预处理方面出发,提出一种基于谱聚类的欠采样方法,以此来降低数据的不平衡程度.先对多类样本进行谱聚类,根据每个聚类簇的密集程度,以及到少类样本的平均距离,来计算每个聚类簇的采样数目和选取怎样的多类样本,此欠采样方法可以有效去除多数类的冗余数据.实验结果证明,该算法可以有效提升少类样本的分类效果.     

基于LMD切片双谱和SVM轴承故障诊断研究

针对滚动轴承发生点蚀故障时峭度和1倍频能量都会发生变化的情况,提出了基于局部均值对故障信号进行分解的方法。该方法取峭度值较大有效分量信号进行重构,再做切片双谱进一步降低高斯噪声对特征频率的影响,提取故障特征1倍频、2倍频和3倍频并进行归一化处理得到特征向量。利用支持向量机对提取的特征向量进行训练与测试,从而识别故障与否及发生点蚀故障的程度。通过对实测滚动轴承振动信号的分析与诊断,验证了该方法的有效性,说明其具有良好的应用前景。     

不锈钢GTAW焊焊接中的氧化试验研究

对于不锈钢的焊接，在NDT检测中仅对夹渣、未熔合、未焊透、气孔等缺陷均有评定标准，而对菜花状缺陷、树瘤状氧化缺陷、蓝脆现象、氧化现象等却没有评定方法及标准。为此，以不锈钢管的焊接试验为主鲒合不锈钢板的焊接，针对不锈钢在GTAW焊焊接中氧化缺陷的防止方法、氧化评定及检测标准提出几点看法，供行业界借鉴与批评指证。     

基于单片机的正弦信号发生器

本系统利用STC89C51单片机作为主控电路,完成设计一个频率可调的正弦信号发生器。首先通过数模转换器DAC0832将单片机送来的数字信号转换成模拟信号,经运算放大电路对信号进行放大,又由低通滤波电路对信号进行滤波平滑处理,最终经示波器显示输出正弦信号波形。通过C语言程序控制实现对正弦信号频率大小的调制,并通过显示器LCD1602显示正弦波形及其频率值。本设计系统大致包括STC89C51单片机主控电路、DAC0832数模转换电路、LM324运算放大电路、LM324低通滤波电路、以及LCD1602液晶显示电路。     

2000X/3000X系列示波器

Agilent全新2000X系列示波器具有70MHz～200MHz的带宽和同类产品中最快的波形捕获率,更容易捕获偶发事件和观察信号中的微妙细节。将8通道逻辑分析仪、函数信号发生器集成到一台示波器中。     

基于CZT探测器的X光能谱分析设备

碲锌镉（CZT）探测器是一种新型半导体探测器,具有高的原子序数、宽的禁带和高密度（有效原子序数50、密度5．81g／cm^3,Eg=1．6eV）等优点,有利于低能X射线和g射线的探测分析。CZT探测器可以工作在室温下且具有较好的能量分辨率,     

跨谱段SAR散射中心多维参数解耦和估计方法

微波光子雷达发射大带宽跨谱段的信号,为目标的精细电磁特性描述和准确识别提供基础的同时,也亟需与之相应的大带宽大转角情况下的电磁模型参数提取方法.相比窄带条件,跨谱段信号数据量大,所含物理量信息维度高且复杂,大转角情况下距离和方位向耦合.该文提出跨谱段SAR散射中心多维参数解耦和估计方法,首先结合极坐标格式算法(PFA)和属性散射中心模型构造2维解耦波数域散射中心模型,再结合坐标下降法(CDA)将复杂的高维耦合参数估计方法简化为循环迭代的1维参数估计方法,有效降低字典维度和估计复杂度,并引入Hooke-Jeeves算法提高估计精度.最后根据各个散射中心的参数估计结果对它们的结构和位置进行识别,对仿真数据的处理实验验证了该文方法的有效性.     

调控CN_x薄膜的紫外可见波段光学性能研究北大核心CSCD

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在不同衬底温度(常温、50、100、150、200℃)下制备了碳氮(CNx)薄膜,并对其形貌、结构及光学性能进行了研究。通过扫描电镜得出随着衬底温度的升高,薄膜由疏松逐渐变得致密。X射线光电子能谱分析表明:薄膜的结合健有sp^2C=C、sp^3C-C、sp^2C=N和sp^3C-N。随着衬底温度的升高,sp^2C=C的比例没有明显变化,sp3C-C比例逐渐增大(28.6%~36.4%),sp^3C-N的比例也逐渐增大(21.4%~33.4%),而sp^2C=N的比例减小(40.2%~21%)。反射光谱和吸收光谱显示:随着衬底温度的升高,薄膜在200~800 nm波段内的反射率增大(8%~40%),吸收率减小(92%~60%)。进一步推导得到薄膜的光学带隙随着衬底温度的升高而增大(2.5~3.57 e V),主要由薄膜中sp^2C=N减少导致的。本文实现了对CN_x薄膜在紫外可见波段范围内的光学带隙的调控。     

纳米碳中的微观缺陷结构特征

测定了定向石墨和纳米碳的正电子寿命谱,结果表明,热解法制备的纳米碳存在开空间小于单空位的自由体积以及开宽间相当于约１０个空位聚集体全的微孔洞,比较了热解法制备的纳米碳,ＵＦＰ冷压法制备的纳米Ｆｅ和纳米ＴｉＯ２以有非晶晶化法制备的纳米ＮｉＰ的缺陷结构特征,结果为纳米ＮｉＰ中缺陷的电子密度最高,纳米Ｆｅ和纲米ＴｉＯ２次之,纳米碳的最低,纳米碳中的缺陷浓度最高,纳米Ｆｅ和纳米ＴｉＯ２的次之,纳米ＮｉＰ的