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11.
12.
《吉林化工学院学报》2013,(10):10-12
2009年爆发的欧洲主权债务危机,对整个世界的经济造成了深刻影响。面对此次危机,中国应积极反思自身存在问题以及寻求解决的方法。本文简要分析了五点欧债危机对中国的启示,包括我国应从依赖出口和政府投资转变为依靠内需拉动经济增长,加强对房地产市场监管,注意债权债务的合理性与安全性,深化人民币汇率改革及完善健全金融体制,把握宏观调控政策等。 相似文献
13.
杨世国 《沈阳工业大学学报》2003,25(1):87-90
在文献[1]、[2]的基础上,建立了n维球面型空间和双曲空间中单形内切球半径之计算公式,建立了n维球面型空间两种形式的余弦定理,并对n维非欧空间中Euler不等式的建立提出了分析. 相似文献
14.
15.
16.
基于物理的流体动画技术一直是计算机图形学领域研究的重点,但是之前大多数研究一直针对的是如何对流体模拟进行加速,而文章对于如何更加精细的模拟流体做了全面的综述,重点从模拟方法、界面重构、边界控制及算法优化方面做了介绍与分析. 相似文献
17.
采用提拉法快速(6mm/h)生长了透明、φ45mm×50mm完整的铝酸锂晶体,但晶体中下部出现了一个树状、乳白色的核芯.分别从透明和乳白色核芯部位取样,研磨作粉末X射线衍射测试,发现两个样品所有的衍射峰均可以用γ-LiAlO2指标化.双晶摇摆曲线显示晶体透明和乳白色部位的半高宽分别为116.9arcsec和132.0arcsec,结晶质量较差.通过三步气相传输平衡法(简称VTE)处理后,透明部位半高宽值(FWHM)降至44.2arcsec,乳白色部位FWHM值降至53.3arcsec.结合快速生长和VTE技术,可以得到40mm×40mm高质量的铝酸锂晶片. 相似文献
18.
InP单晶材料现状与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。 相似文献
19.
在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻<111>晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对<111>晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析。通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度。从而避免了<111>晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度,同时有利于消除晶体的漩涡缺陷。 相似文献
20.
运动副难以避免地存在间隙,间隙的存在将引起碰撞与磨损,而运动副间隙和磨损会影响机构动力学特性.考虑3RSR(R为转动副,S为球副)并联机构中球副间隙,基于改进的Flores接触力模型和修正的Coulomb摩擦力模型,利用牛顿-欧拉法建立机构的动力学模型,引入标准四元数搭建约束方程,并采用四阶Runge-Kutta法进行... 相似文献