FHUDS-2/FHUDS-5组合催化剂在镇海炼化300万 t/a 柴油加氢装置的应用

介绍了由抚顺石油化工研究院(FRIPP)开发的 FHUDS-2/FHUDS-5柴油深度加氢组合催化剂在镇海炼化新建300万 t/a 柴油加氢装置上的工业应用情况.应用结果表明: FHUDS-2/FHUDS-5催化剂组合具有良好的加氢脱硫活性和稳定性,在高空速条件下加工直馏柴油和45%左右的催化柴油、减压柴油的混合油,可以长周期稳定生产符合沪Ⅳ硫含量排放标准要求的清洁柴油产品.同时,能够加工以直馏柴油为原料生产符合欧Ⅴ排放标准要求的清洁柴油产品.     

解读欧洲央行三年期长期再融资操作

文章对欧洲央行三年期长期再融资操作（LTRO）的实施、效果和作用、存在问题和隐患等方面进行解读,以增进对欧债危机解决方式的了解和认识。     

Upconversion Luminescence and Mechanism of Cerium Doped YVO4 Crystals

在 YVO4晶体中分别掺入摩尔分数为 2%的 Ce2（CO3）3和 CeO2,在中频感应加热炉中采用提拉法生长了掺 Ce 的 Ce：YVO4晶体。用 X 射线衍射测试了这两种晶体的物相,发现两种样品都主要以 YVO4相存在。X 射线光电子能谱测试表明,在两种样品中铈离子都是以＋3、＋4 混合价态的形式出现的。光谱测试表明,两种样品的光谱特性非常相似,同时发现,两种方式掺杂的 Ce：YVO4晶体在 620 nm 的光激发下,均可发出以 450 nm 为中心的蓝色宽带荧光。分析认为,在 Ce：YVO4晶体中由 620nm 引发的上转换发光的激发过程,不可能直接起源于 Ce3＋的基态2F5/2,它起源于由特殊的“Ce–O”构型形成的电荷迁移态的基态。     

CeO_2纳米薄膜的制备

以 Ce(NO3) 3· 6H2 O为前驱物 ,加入火棉胶作为粘度调节剂 ,采用 sol-gel提拉法制备了均匀透明的 Ce O2 纳米薄膜 ,对其性能进行了研究 ,并用光声光谱确定了 Ce O2 纳米薄膜的透明区间     

Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究

通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd：Gd3Ga5O12(Nd：GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd：GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061．54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。     

稀土掺杂钨酸钆钾激光晶体生长

以K_2W_2O_7为助溶剂,在钨酸钆钾[KGd(WO_4)_2,KGW]晶体中分别掺入稀土元素离子Nd~(3+),Yb~(3+),Er~(3+)和Er~(3+)+Yb~(3+),用顶部籽晶提拉法分别生长出Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种激光晶体。获得最佳的生长工艺参数是:转速为10~15r/min,拉速为1~2mm/d,降温速率为0.05~0.1℃/h,生长周期为10~15d。经X射线分析确定4种晶体均为β相。利用热重差热分析确定了晶体的熔点和相转变温度,结果表明:Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种晶体的熔点分别为1085,1086,1080℃和1079℃;相转变温度分别为1023,1021,1021℃和1024℃。分析了晶体产生缺陷的原因。     

Tm~(3+)掺杂KYb(WO_4)_2自激活激光晶体生长与光谱特性分析

以K2W2O7为助熔剂,Tm3+掺杂摩尔分数为8%,采用顶部籽晶提拉法生长出了单斜晶系的铥掺杂钨酸镱钾[Tm3+:KYb(WO4)2,Tm:KYbW]晶体.测试了晶体的红外光谱和Raman光谱,并对出现的峰值进行了振动归属.测量了晶体的吸收光谱和荧光光谱,计算了相应的光谱参数.吸收光谱显示:Yb3+在945,958nm处吸收峰最强,半峰宽为91 nm.荧光光谱表明:Tm:KYbW晶体在1 735nnl和1 759nm附近有较强的发射峰,主峰1 759nm处的发射线宽达146nm,因此,Tm:KYbW晶体可作为可调谐激光增益介质.晶体的上转换荧光谱表明:在481 nm和646nm处分别得到了上转换蓝光和红光,并分析了相应的上转换机制.     

近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法

在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置.在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体.测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%.利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性△n=7.250×10-5cm-1.     

新型(Sr0.5Ca0.5)3Ta(Ga0.5Al0.5)3Si2O14高温压电晶体的生长及性能表征

硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型(Sr_0.5Ca_0.5)₃Ta(Ga_0.5Al_0.5)₃Si₂O₁₄(SCTGAS)高温压电晶体,并研究了离子取代对晶体生长及电学性能的影响。生长的SCTGAS晶体无色,结晶质量较好,呈现出板面生长形态,在可见光波段具有较高的透过性。在450℃测试温度下,该晶体的电阻率仍高于10⁹Ω·cm。此外,Sr取代能够显著增强晶体的高温压电系数d₁₁,550℃时该值达到5.55 p C/N。因此,SCTGAS晶体在高温压电传感器领域展现出良好的应用潜力。     

掺镱钇铝石榴石激光晶体生长与开裂

采用提拉法生长了掺杂5%(摩尔分数)Yb3+的Yb:Y3Al5O12(Yb:YAG)晶体,并对晶体生长工艺进行了研究。从理论上分析了生长速率、转速、热应力、晶体尺寸对晶体开裂的影响。确定的最佳工艺条件为:晶体放肩和等径生长速率分别为0.8mm/h和1mm/h;转速为15r/min;轴向温度梯度为0.01～0.05℃/mm。所得晶体的最佳直径为15～25mm。