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171.
通过对现有几种闩锁比较器的分析和比较,提出一种应用于流水线ADC中改进的动态闩锁电压比较器结构,该结构具有较小的功耗和回踢噪声的特点。并采用0.18um CMOS1P6M工艺对电路进行设计,在电源电压为1.8V的条件下,对电路进行仿真,仿真结果表明它的回踢噪声小,输入敏感电压误差小于2mV,最高工作频率200MHz,功耗270uW。 相似文献
172.
提出了锁存器半稳态发生概率(MSS)的优化公式,引入半稳态发生概率相关因子γ,给出了锁存器PMOS与NMOS管宽长比之比及加速电容与γ的相互关系。同时,采用交流小信号频域分析法,对高速比较器中的锁存器的宽长比进行了优化,给出了锁存器的最佳宽长比,以使半稳态的产生机率达到最小。两种方法优化的结果相一致。 相似文献
173.
174.
175.
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。 相似文献
176.
177.
178.
基于0.13μm CMOS工艺,设计了一种应用于硅微条探测器读出电路的12-bit 80MS/s流水线模数转换器。该模数转换器采用双输入运放共享倍乘数模转换器(MDAC)结构,使运放的输入端交替连接至VCM进行复位,不需要额外时钟消除级间记忆效应。比较器的比较时刻选择在下一级底极板采样开关断开之后而运放还保持在本级输出的相位,使比较器的回踢噪声不会对下级采样信号产生影响。当输入信号在1 MHz时,电路仿真结果得到:信号噪声失真比(SNDR)为71.6 dB,无杂波动态范围(SFDR)为85.6 dB,总谐波失真(THD)为-81.8 dB,有效位数(ENOB)为11.61 bit。 相似文献
179.
180.
针对碲锌镉探测器前端读出电路要求低功耗、低噪声、高精度的特点,设计了一种12-bit、1Ms/s的逐次逼近式模数转换器(SAR ADC).该模数转换器由数模转换器(DAC)和比较器等组成.其中DAC采用电荷按比例缩放结构,利用电荷守恒原理,提高了缩放电容的匹配精度.比较器采用多级预放大器级联的动态锁存器结构,采用输出失调校准技术提高了比较器的精度.整个电路采用TSMC 0.18μm 1P6M CMOS混合工艺进行设计和实现.仿真结果表明,在1MHz的采样率、输入为97KHz正弦信号下,SAR ADC的DNL为-0.1/0.37LSB,INL为-0.44/0.32LSB,SNR为65.33dB,ENOB为10.55bit,功耗为1.17mW,满足了系统的设计要求. 相似文献