面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

浅谈电子行业及冶炼炉供氢工艺

本文介绍了三种现场供氢的典型工艺，并结合实例进行了比较、分析。     

Hydrogen Absorption and Release Behavior in Hydrogen Decrepitation Process of Nd-Fe-B Alloys

The behavior of hydrogen absorption and release in hydrogen decrepitation (HD) process of Nd-Fe-B alloys were investigated. The results reveal that the reactivity and the amount of hydrogen absorption in HD process are related to the surface activity of the alloy so that the fresh and active surface has a higher efficiency. The presence of Nd-rich phase at the grain boundary is an essential factor of the HD activity of the alloy at room temperature. On degassing, hydrogen is released from the HD powder continuously with increasing temperature. And the residual hydrogen is as low as 0.0015% at 1073K, which shows that the hydrogen is almost exhaused. It is feasible to remove the hydrogen from the HD powder by heating treatment at the temperature of 523-723K for 1h prior to the magnetic field forming in order to decrease the harmful effect of hydrogen on the easy axis alignment of HD magnet.     

在高温,高压,氢环境中21／4Cr—1Mo钢及其焊接接头KIH的测试

采用恒位移试验方法，在高温、高压、氢环境中用ＷＯＬ试样测试了２１４Ｃｒ－１Ｍｏ钢及其焊接接头的应力腐蚀门限应力强度因子ＫＩＨ。试验结果表明：采用恒位移试验方法测试高温、高压、氢环境中２１４Ｃｒ－１Ｍｏ钢及其焊接接头的ＫＩＨ是可行的。     

粗汽油制取重整开工用氢气与精制油的工艺技术研究

介绍一种不需要外来氢气的重整开工方法,其特征是在重整装置的加氢反应单元内增设一台制氢反应器,直接用租汽油制取重整催化剂开工所需的高纯度氢气和杂质合格的重整原料.     

焦炉煤气变温变压吸附制氢

一、概述我厂在冷轧硅钢片的生产过程中需要进行中间退火、脱碳退火、高温退火和拉伸退火等多种热处理,以上退火热处理都必须在高纯度的氢、氮保护气氛中进行,氢气纯度要求在99.99％以上,其中含氧量在2ppm以下,含水量在11ppm以下(露点低于-60℃)。     

提高加氢裂化装置循环氢纯度方法的探讨

以齐鲁石化公司胜利炼油厂２２０ｋｔ／ａ缓和加氢裂化工业试验装置为例，根据气液相平衡平原计算了循环氢的纯度，阐述了新鲜氢纯度、高压分离器温度等因素对加氢裂化装置循环氢纯度的影响，并对诸多的影响因素进行了分析，针对该工业试验装置循环氢纯度偏低的问题，提出了解决问题的具体方法。结果表明，新鲜氢纯度是影响循环氢纯度的主要因素，新鲜氢纯度每提高２ｖ％，循环氢纯度可提高３．５ｖ％左右；冷高压分离器温度对循环氢     

采用SPCVD工艺制作的低氢氮氧化硅光纤

本文主要介绍Eugene M.Dianov等人采用无氢SPCVD工艺制作首批氮氧化硅光纤的工艺过程，并分析氮氧化硅光纤的性能。这种光纤在近红外区的最小损耗为几个dB/km。光纤芯中的氮含量达到3%。