热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修

文章就热壁低压化学汽相淀积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障现象及维修谈一点体会。     

热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨

文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。     

赛隆陶瓷——氮化硅陶瓷的替代物

氮化硅已作为主要陶瓷材料而得到使用氮化物陶瘊将成为陶瓷发动机部件的主体，同时在非发动机方面也得到应用，这是属于广义的特种陶瓷中的结构陶瓷材料的例子，是在１５００℃以上高温下制备的无机非金属材料。叙述了以Ｓｉ３Ｎ４为基础而开发出来的一种Ｓｉ－Ａｌ－ＯＮ全致密的多晶氮化物陶瓷－－赛隆陶瓷的有关技术问题。     

氮化硅陶瓷轴承研发现状及产业化对策

目前．国内高速轴承普遍存在轴承钢球产生不同程度疲劳破坏等问题．为了改善高速轴承性能以延长其疲劳寿命．国内外应用结构陶瓷来制造球体或其他轴承零件可显着提高高速轴承的使用性能和寿命。其中氯化硅或氯化硅基陶瓷复合材料是制增轴承及其零件最理想的材料．并取得了很好的使用效果。[编者按]     

自韧Si3N4陶瓷的显微结构及其性能研究

利用热压的方法制得室温断裂韧性和抗弯强度分别为１１．２ＭＰａ·ｍ￣（１／２）、８２３ＭＰａ，高温（１３５０℃）断裂韧性和抗弯强度分别为２３．９ＭＰａ·ｍ￣（１／２）、６３０ＭＰａ的自韧Ｓｉ＿３Ｎ＿４陶瓷。研究了显微结构和力学性能之间的关系。结果表明：玻璃相的含量、β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４的长径比等对性能有重要影响。分析了自韧Ｓｉ＿３Ｎ＿４陶瓷的增韧机理，通过ＳＥＭ明显观察到Ｓｉ＿３Ｎ＿４中存在裂纹偏转、分支和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４拔出现象。     

等离子氨化硅应力的研究

氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。     

淀积条件对GDa—SiNx薄膜电学特性的影响

本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数为７．５、击穿强度为５．５ＭＶ／ｃｍ、电导率为１０－１３（Ωｃｍ）－１。     

TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备

用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2×102cm-1,相对介电常数为7～8.4,电荷面密度为2.5×1012～3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.