烧结氮化硅陶瓷的显微结构

通过透射电子显微分析和能谱分析，深入仔细地研究了烧结Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＯ－ＣｅＯ２陶瓷的微观结构及其性能的关系，发现当烧结温度为１８００℃时，ＭｇＯ在烧结过程中会自动析晶，烧结体的玻璃相只有铈硅酸盐而几乎没有ＭｇＯ，当烧结温度高于１８５０℃时，容易产生异常长大的二次Ｓｉ３Ｎ４晶粒，从而使烧结Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的性能下降。并观察到了其中的亚晶粒、晶界及位错等微观结构。     

单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能

介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30～80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导作用.荧光测试结果表明,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带(波长从500～700 nm),发光峰位于567 nm.     

凝胶注模工艺制备高强度多孔氮化硅陶瓷

采用凝胶注模成型工艺,成功地制备了具有高强度、结构比较均匀并有较高气孔率的氮化硅多孔陶瓷。本文研究了制得的多孔氮化硅的力学性能和微观结构,并讨论了获得高性能的原因。结果表明,采用适当的成型条件可制备出结构均匀、强度高、加工性能优良的坯体,烧成的多孔氮化硅陶瓷强度均>150MPa,气孔率>50％。SEM照片显示气孔是由长柱状β-Si3N4晶搭接而成的。均匀的气孔分布和柱晶结构是获得高性能的主要原因。     

磁约束电感耦合等离子体增强反应溅射沉积nc-TiN/a-Si3N4纳米复合薄膜

介绍一种新型磁束缚电感耦合等离子体增强的物理化学气相沉积复合系统，并用该系统通过反应磁控溅射TiSi合金靶，在氩气和氮气等离子体作用下，在单晶硅衬底上制备了nc—TiN／a—Si3N4纳米复合薄膜．扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子谱仪和高分辨率透射电子显微镜的分析和观察结果清晰地表明该薄膜是具有纳米结构的复合薄膜，主要由镶嵌在非晶态Si3N4基体中的TiN纳米晶粒组成，TiN晶粒的尺寸约为3nm。     

氮化硅多孔陶瓷

国内率先报道"结构陶瓷"-"功能陶瓷"一体化的新型复合陶瓷———氮化硅多孔陶瓷,介绍氮化硅多孔陶瓷的特征和潜在应用,并展望了其研究现状与前景。     

不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究

测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据.     

氮化硅陶瓷刀具的切削性能及其应用

阐述了氮化硅陶瓷刀具的切削性能及其在实际应用中应该注意的问题 ,为在机械加工行业中推广应用陶瓷刀具作了初步的探讨     

氮化硅滚动轴承的制造与应用

本文介绍了轴承用陶瓷材料氮化硅的性能和制造方法，氮化硅滚动轴承的制造，检测手段及其使用特性与用途。     

北京市先进陶瓷材料产业现状分析研究

<正>先进陶瓷通常指的是采用高纯度、超细人工合成或精选的无机化合物为原料,具有精确的化学组成,精密的制造加工技术和结构设计,并具有优异特性的陶瓷。先进陶瓷按种类可分为具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、抗氧化等特点的结构陶瓷,以及具有电气性能、磁性、生物特性、热敏性和光学特性等特点的功能陶