新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

卓越创新 超越未来——创新科＆英特尔（中国）共同举办新品发布暨存储服务器战略研讨会

六月初的北京．繁花盛开．气候宜人。在这样一个美好的季节里．创新科存储技术有限公司（UIT）和英特尔（INTEL）中国有限公司联合召开了题为“携手创新．存储未来“的新品发布暨存储服务器战略研讨会．向与会代表详细介绍了存储技术的发展趋势，以及他们针对不同行业推出的相应存储解决方案。     

Vishay新型表面贴装Bulk MetalZ箔电阻

日前．Vishay Intertechnology宣布推出VSMP系列超高精度表面贴装Bulk MetalZ箔（BMZF）电阻．这些是业界率先在70℃时具有750mW高额定功率并且具有低至&;#177;0．005％的长期稳定性、低于土0．2ppm／℃的超低典型TCR、在额定功率时&;#177;5ppm的出色PCR及&;#177;0．01％低容差等特性的器件。     

光电器件

ASMC-QxB2-Txxx：高亮度LED;ACPL-3130/J313、ACNW3130：光电耦合器;ZLE60400：AMC光学延伸卡;[编者按]     

数字化时代的电视节目存储技术

电视正迅速走向“数字化时代“,在电视节目的摄、编、播过程中,多种节目素材的保存是一个重要问题.无论是前期的外影拍摄,还是后期制作中的录制、编辑,以及节目的最后播出,都需要对节目进行暂时、长远,甚至永久性的保存.就数字化时代的数字电视节目存储方式进行比较研究,并提出比较可行的方式.     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

一种用于TCP/IP减荷的体系结构

TCP/IP减荷的目的是为了将系统主处理器从用于协议处理的繁重的内核中断服务中解脱出来。笔者从对TCP/IP减荷的需求出发,分析了TCP/IP减荷在设计方面的要求,进而提出了一种用于TCP/IP减荷的体系结构。     

高精度大屏幕LEDB历时钟制作

本文介绍的时钟制作套件采用目前比较流行的器件和技术，具有精度高、屏幕大、多种显示颜色、程序调试方便等特点。单片机爱好者通过该学习套件可以完成单片机原理、双色LED动态扫描显示方式、I^2C总线的控制、单片     

细菌驱动微转子马达

日本国家高级工业科学与技术研究所的一个研究组正在利用快速移动的细菌来驱动微转子马达，这是第一个在无机材料中加进了细菌的微机械器件。这种生物分子马达能比传统的马达更有效的将化学能转化为机械能，还能在大型结构中发挥自修复和自组织的潜能，有望用在微型机器人和微小电子系统中。