脱泡桶超标缺陷的检评与修复

脱泡桶是维纶抽丝装置的龙头设备,它台数多(共有40台),造价高,1978维纶厂自己设计、建造,1980年开始投用。1987年我们用着色法对其中4台进行探伤,发现几乎每台都有严重的超标缺陷。故委托“华夏压力容器安全评定技术咨询     

BGA芯片的制球重新利用

手机主板中有很多芯片是BGA封装的，而回流焊期间会出现一定比例BGA焊接缺陷，如虚焊、短路等等。对于这种BGA的维修，一般只是把这个芯片取下，然后重新焊上新的芯片。可是取下的芯片就没用了，实际上很多这类芯片本身并没有坏，如果给芯片重新制球，就可以重新利用，从而节约成本。     

采用硼矿石生产单体硼铸铁活塞环

本文介绍了在单体硼铸铁活塞环的铸造生产中，采用合B10．31％的硼矿石取代价格昂贵的硼铁合金，达到节约生产成本，消除硼铁合金中合铝量高而导致的毛坯环皮下气孔缺陷。     

废铜的分类

一、一次废铜 如不合规格的阳极、阴极和坯料,阳极废品.这些废料不能进行深加工或出售,通常是将其返回上一步工序,不合规格的铜通常重新返回转炉或阳极炉进行电(解)精炼,有缺陷的坯料则进行重熔和重铸.     

质检总局热线受理玩具质量投诉

据国家质检总局信息，质检总局缺陷产品管理中心于4月1日起正式开通缺陷产品召回管理网以及新的电话投诉中心．以受理消费者更为广泛的产品投诉。     

“国际钛产业发展高峰论坛”举行

6月28日～29日，“国际钛产业发展高峰论坛”在江苏省东海县举行，此次论坛由香港新时代国际实业有限公司、东海县人民政府、东海新时代应用材料有限公司主办。国内外200多位钛产业相关人士出席了会议，本次论坛深入探讨了中国钛产业的现状及发展趋势，并探索如何深入挖掘钛产业的潜在市场。会议讨论了国内的钛产业发展格局和主要问题，     

纳米晶合金中缺陷总体变化的多普勒湮没能谱初步研究

用正电子湮没多普勒展宽能谱测量和分析了若干急冷淬火制备的薄带，表明软磁Fe基纳米晶合金中的缺陷（自由体积）远多（大）于其晶化前的非晶态；能够晶化成纳米晶的Fe基非晶制备态材料中的缺陷也多（大）于类似成分但又不能晶化成纳米晶的非晶态材料中的缺陷；Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5b9.0合金的急冷淬火制备态在热处理过程中，低温退火时缺陷减少，高于200℃的退火导致缺陷增加，纳米晶化后的进一步退火缺陷基本不增加；Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金纳米晶化后，在所选定的测量条件下没有发现正电子湮滑参数时间，温度的变化，说明该材料缺陷结构相当稳定。     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

新型超微晶软磁合金FePCCuMoSi微观结构缺陷的正电子湮没研究

用正电子湮没方法研究了新型超微晶软磁合金的微观结构缺陷，样品选用的是在不同温度下退火的Ｆｅ８１Ｐ１２Ｃ３Ｃｕ１Ｍｏ０．５Ｓｉ２．５合金，结果表明，合金的微观结构构陷大小，密度随退火温度有规律地变化，这种现象可能与非晶的晶化过程有关。