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102.
103.
Sally Cole Johnson 《集成电路应用》2007,(5):41-42
纽约州立大学Buffalo分校电子封装实验室正在为美国海军开发新型的功率电子封装,在一些极端苛刻的工作条件下(比如在军舰和战机上).它们能够解决大电流密度、高温和大的温度梯度所引起的种种问题。这类功率电子封装还有可能很快进入民用产品。 相似文献
104.
《电子产品世界》编辑部 《电子产品世界》2008,(4):139-144
挺过了艰难的2007,半导体厂商在满怀期望中迎来了2008,希望煦暖的春风可以驱散产业弥漫的寒意.特别是在中国市场,在2007年风景独好之后,北京奥运会的契机无疑加重了中国市场在全球的位置.近日,众多半导体厂商开始针对中国市场的宣传展示攻势,请跟随记者的笔端,从多个侧面去了解半导体市场的新动向. 相似文献
105.
朱晓东 《现代表面贴装资讯》2008,(4)
当前通信行业尤其是军工企业处于特殊的考虑,所设计的PCB贴装焊盘上存在通孔,造成回流焊接时锡膏融化后沿着孔流走,不能形成有效焊点,即使形成焊点也因为少锡致使焊点机械强度及电气性能下降。现在的补救措施就是花费大量的人工进行补焊,但人工补焊对单元板质量的危害是极其深远的,现有某公司实际案例情况说明如下: 相似文献
106.
107.
Ni-Fe-C对YG30硬质合金与45#钢TIG焊过程中η相形成的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用Ni—Fe—C合金作为填充金属,实现了YG30硬质合金与45^#钢的TIG焊。采用光学显微镜、扫描电镜、电子探针、X射线衍射和显微硬度等方法对焊后试样的焊接接头进行了分析。结果表明:(1)采用Ni—Fe—C合金可以获得YG30硬质合金与45^#钢TIG焊的焊接接头;(2)在Ni—Fe合金的基础上加入适量的C可以抑制YG30/焊缝界面侧大块η相的形成;(3)由于C的扩散而引起的W—Co—C体系的贫碳与YG30/焊缝处高浓度Fe的出现是η相形成的重要原因,YG30/焊缝界面侧形成的η相为M6C型和M12C型复合碳化物。 相似文献
109.
针对摩擦焊区焊后局部热处理工艺存在焊合面韧性低和热影响软化区强度低的问题,研究了摩擦焊区焊热处理工艺和设备。焊热处理工艺是利用摩擦焊的焊接热对焊区进行淬火,然后再进行局部回火的工艺,主要由一级摩擦→二级摩擦→顶锻→保压→冲切内飞边→淬火冷却→热处理回火等工序组成。与现有的焊后局部热处理工艺相比,省去了不完全退火和淬火两道工序,简化了生产过程,具有较好的经济效益。焊区的组织分析和性能检测表明,金相组织的多边化结构、碳化物的弥散分布和细化的亚晶粒,摩擦焊接接头强度和塑韧性均得到提高。 相似文献
110.
Intel Mobile PⅢ有三种封装方式:400Pin Mobile Module(MMC2)、Ball Grid Array(BGA)、Micro PGA(Pin Grid Array)。笔记本电脑CPU的几种封装形式都明显不同于台式机,如果有条件打开笔记本的外壳,直接从外观就可以很明确地判断出CPU类型。当然大多数消费者在购买时并不具备打开外壳的条件,要判断笔记本用的CPU是否为专用的,也可以看笔记本电脑上贴的Intel Inside标签, 相似文献