新型背投彩电核心电路分析(下)

4.扫描速度(VM)调制电路电子束的扫描速度直接影响屏幕亮度,而且与扫描速度高低成正比关系。传统的方法是通过改变CRT阴极上的调制电压的大小,使电子束流发生变化而产生亮度差来显示图像。但这种方法有一个明显的缺陷,即出现亮度过调时,会引起图像信噪比降低而使图像边缘模糊。     

LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究

采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制作了分辨率优于０．５μｍ，特征线宽０．３８μｍ的４（１００ｍｍ）铬掩模版。     

热场致发射电子源曝光系统的技术现状和应用前景

高亮度、长寿命的热场致发射(Thermal field emitter)阴极自七十年代中期已受到人们的关注和重视,历经十多年在理论分析、工艺制备和实验研究上做了大量工作之后,于1988年在电子束曝光机上的应用中取得了突破性进展。用晶向为(100)的钨和具有低逸出功的锆制成的(Zr/O/W)热场致发射阴极在四千小时的使用寿命下亮度值超过六硼化镧阴极一个数量级以上,最近的实验结果表明:在工件台上小束斑下能得到接近两千安培每平方厘米的束流密度,而且四十小时内束流稳定度接近千分之一。显然,这几个表征曝光系统综合技术性能的重要指标,说明多年困扰于各种电子束曝光系统(特别是高斯圆斑电子束系统)在高分辨率情况下生产率较低的技术难题已经得到了比较圆满的解决。 八十年代末期,当热场致发射电子源曝光系统的技术关键解决后,这项技术就成为技术发达国家,特别是美国和日本,在电子束曝光领域进行技术竞争的热点;九一年五月底在美国召开的国际三束会议上有关场致发射阴极和MEBES—4型机已经采用TFE的最新报道充分证实了这项技术在电子束曝光技术应用中的重要地位和发展潜力。     

电子束法沉积ITO膜的XPS研究

采用电子束蒸发法制备了均匀、致密、透明导电的ITO膜。讨论了其光电性能,并用XPS技术研究了ITO膜的表面组成、结构和状态。     

降低晶体管hFE的电子束辐照工艺的研究

研究了辐照剂量、剂量率、退火温度、退火时间、辐照方法等因素对晶体管ｈＦＥ值（电流放大倍数）的影响。结果表明，电子束辐照能有效地降低晶体管ｈＦＥ值，并能通过退火处理使其稳定。     

电子束交联技术在橡胶制品中的应用

在过去的40年里，电子束交联因为能改进和增强聚合物性能，其应用范围不断扩大。材料聚合结构的改进不仅可以用类似硅烷或者过氧化物的常规化学方法完成，也可以通过电子加速器发射的高能电子所产生的离子辐射来完成。电子束工艺可以满足顾客要求，用来提高制品的热性能、化学性能、耐冲击磨损性、屏蔽性及其他性能。电子束工艺的应用范围很广，包括电线／电缆、轮胎、模制或成型橡胶和塑料制品、     

钛合金花絮

可生产大型钛铸锭的电子束重熔炉/低熔点钛合金用于钛硬焊的研究/钛中注入氮对钛吸氢的影响/航空用粉末冶金钛结构合金产品/提高钛材冲压加工性的新方法/用电解沉积法制取金属钛/利用坩锅快速悬浮熔融纯钛/     

“ГОИ”全俄科学中心光学镀膜工作概况

在“С．И．瓦维洛夫国家光学研究所(ГОИ)”光学镀层工作是30年代在И．В．Гребевшиков院士领导下开始的。到目前为止形成一个高度熟练的专家集体。它完成同光学镀膜工艺有关的一整套的工作。在镀制中采用所有现代的光学镀层的真空方法：电阻法和在高真空中的电子束蒸发法，阴极法，离子等离子体法，磁溅射法。镀层工艺中成功地采用离子加工方法，其中包括基板的离子净化，离子辅助(ассистрование)，离子涂抹(платирование)。