热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜微结构和磁电阻性能的影响

选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ta/Ni_0.65Co_0.35作为磁敏感层,研究了热处理对Ta/Ni_0.65Co_0.35薄膜织构、磁学性能和磁电阻性能的影响.制备了Barber电极结构的磁电阻元件,对磁电阻元件的输出特性进行了测试.结果表明:真空退火可以有效降低薄膜内的应力和杂质缺陷,使晶粒尺寸增大,晶界对传导电子的散射减少,各向异性磁电阻(AMR)值提高;真空磁场退火有利于提高薄膜的单轴各向异性,使薄膜的AMR值和磁传感器元件的灵敏度增加.     

TiAl与GH3039异种材料摩擦焊接工艺及接头组织

为提高TiAl与GH3039异种材料摩擦焊接接头性能,对主要摩擦焊接参数进行优化,利用半自然热电偶法对焊接过程界面温度进行实时测量,采用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)对界面组织结构及拉伸断口进行分析。结果表明:GH3039出模量的变化对接头抗拉强度影响较大,当出模量为4.1 mm时,接头强度可达374 MPa。通过标定NiSi-GH3039热接点热电势与温度的关系,测量得到准稳定摩擦阶段界面温度为960～1 030°C,处于TiAl合金的超塑性温度范围。焊后界面结合良好,没有裂纹及孔穴等缺陷,焊合区形成了五层合金相过渡层。接头断裂易发生于Al3NiTi2脆性相层,断口主要形貌为凹凸的摩擦环。     

结构形式对特高压直流换流站端子性能的影响

为了研究结构形式对特高压直流换流站接头端子性能的影响,对不同结构形式接头端子搭接部位的电阻及温升分别进行了试验研究和有限元计算。试验结果表明:在紧固力矩相同的条件下,双板搭接接头端子搭接部位的电阻低于单板搭接接头端子同一部位的电阻;随着紧固力矩的降低,双板搭接接头端子搭接部位电阻增大的幅度小于单板搭接接头端子同一部位电阻增大的幅度。计算结果表明:在加载相同电流强度的条件下,双板搭接接头端子搭接部位温度和温升速率均低于单板搭接接头端子同一部位温度和温升速率,增大紧固力矩可使接头端子搭接部位的温升速率降低;随着截面厚度的减少,双板搭接接头端子搭接部位温升非线性增大的幅度小于单板搭接接头端子同一部位温升非线性增大的幅度。随着电流强度的增大,双板搭接接头端子搭接部位温升线性增大的幅度低于单板搭接接头端子同一部位温升线性增大的幅度。