首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24033篇
  免费   1322篇
  国内免费   1917篇
电工技术   636篇
综合类   1215篇
化学工业   5164篇
金属工艺   2365篇
机械仪表   1063篇
建筑科学   1090篇
矿业工程   733篇
能源动力   364篇
轻工业   626篇
水利工程   332篇
石油天然气   697篇
武器工业   137篇
无线电   6077篇
一般工业技术   2791篇
冶金工业   2772篇
原子能技术   388篇
自动化技术   822篇
  2024年   135篇
  2023年   489篇
  2022年   676篇
  2021年   714篇
  2020年   550篇
  2019年   581篇
  2018年   335篇
  2017年   403篇
  2016年   463篇
  2015年   581篇
  2014年   1128篇
  2013年   920篇
  2012年   1225篇
  2011年   1250篇
  2010年   1126篇
  2009年   1193篇
  2008年   1368篇
  2007年   1156篇
  2006年   1242篇
  2005年   1203篇
  2004年   1085篇
  2003年   1020篇
  2002年   845篇
  2001年   793篇
  2000年   727篇
  1999年   629篇
  1998年   590篇
  1997年   578篇
  1996年   608篇
  1995年   677篇
  1994年   597篇
  1993年   465篇
  1992年   480篇
  1991年   449篇
  1990年   414篇
  1989年   406篇
  1988年   62篇
  1987年   33篇
  1986年   16篇
  1985年   17篇
  1984年   11篇
  1983年   15篇
  1982年   7篇
  1981年   4篇
  1980年   3篇
  1973年   1篇
  1951年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
注氢硅中微结构缺陷的TEM观察   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带,损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致,推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主,另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷,这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞,这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。  相似文献   
52.
53.
本文介绍该隔墙板生产的原料配比,生产工艺及其技术关键、产品物理力学性能及经济效益分析,讨论改善制品返卤、变形,耐水性差等几方面问题的方法。  相似文献   
54.
用Si,0.70wt/5和N0.08wt%对新型9Cr6W3Mo2V2钢进行合金化,观测这两种合金元素在耐磨冷 作模具钢中的存在形式,及其对组织结构和力学性能的影响,并与通用的Cr12MoV钢进行了比 较.结果表明,Si,N显著改善钢的微观组织,提高强韧性和耐磨性能.  相似文献   
55.
王富 《铁合金》1994,(4):21-24,46
介绍了硅铬合金生产中造成炉底上涨的原因。通过生产实践,对用石灰和铬矿洗炉进行了分析,并介绍了洗炉后转炼硅铬合金的方法。  相似文献   
56.
利用挤压铸造制备氧化铝/锌合金复合材料,在扫描电镜(SEM)上观察复合材料的界面。结果表明,在复合材料中纤维与基体间存在致密界面层,合金元素通过适当的化学反应可改善纤维与基体间的结合;在凝固过程中,纤维/基体界面上的硅在共晶体的共生生长过程中起了领先相作用,导致复合材料的共晶转变是由铝硅共晶转变和锌铝共晶转变两者组成。  相似文献   
57.
阐述了光刻伺服盘媒体微细加工实验过程,分析了刻蚀工艺影响磁盘光刻图形的不利因素,实践证明利用半导体微细加工技术光刻伺服盘,能大幅度提高磁道密度,增加磁盘驱动器的容量,是一种先进的可行方法。  相似文献   
58.
59.
Mg-Si基热电化合物的研究现状   总被引:1,自引:0,他引:1  
重点综述了Mg-Si基热电化合物的基本特性,该体系热电材料的制备方法与掺杂改性的研究进展,并提出了要重点解决的问题。  相似文献   
60.
硅基红外信平面阵列技术的新进展(Ⅱ)   总被引:2,自引:0,他引:2  
主要介绍以硅为衬底的PbS,PbSe,PbTe,PbSnSe,HgCdTe,InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号